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2SC4548E: 产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小381KB，共4页; 制造商Galaxy Microelectronics

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2SC4548E概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

2SC4548E规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Galaxy Microelectronics
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.2 A
集电极-发射极最大电压	400 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	R-PSSO-F3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN
表面贴装	YES
端子形式	FLAT
端子位置	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	70 MHz
Base Number Matches	1

2SC4548E相似产品对比

	2SC4548E	2SC4548D	2SC4548
描述	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,	General Purpose NPN Bipolar Transistor; Polarity: NPN; V(BR)CEO Min (V): 400V; IC (A): 0.2A; HFE Min: 60; HFE Max: 200; VCE (V): 10V; IC (mA): 50mA; VCE(SAT) (V): 0.6V; IC (mA)1: 50mA; IB (mA): 5mA; FT Min (MHz): 70+ MHz; PTM Max (W): 0.5W; Package: SOT-89; package_code: SOT-89; mfr_package_code: SOT-89
厂商名称	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics	Galaxy Microelectronics
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	0.2 A	0.2 A	0.2 A
集电极-发射极最大电压	400 V	400 V	400 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100	60	60
JESD-30 代码	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3	R-PSSO-F3
元件数量	1	1	1
端子数量	3	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
表面贴装	YES	YES	YES
端子形式	FLAT	FLAT	FLAT
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	70 MHz	70 MHz	70 MHz
Base Number Matches	1	1	1

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