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2SD1760P

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小299KB,共5页
制造商Galaxy Microelectronics
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2SD1760P概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin,

2SD1760P规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)82
JEDEC-95代码TO-252
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)90 MHz
Base Number Matches1

2SD1760P相似产品对比

2SD1760P 2SD1760Q
描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin,
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 82 120
JEDEC-95代码 TO-252 TO-252
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN NPN
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 90 MHz 90 MHz
Base Number Matches 1 1
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