Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin,
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Galaxy Microelectronics |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 82 |
JEDEC-95代码 | TO-252 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 90 MHz |
Base Number Matches | 1 |
2SD1760P | 2SD1760Q | |
---|---|---|
描述 | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin, |
厂商名称 | Galaxy Microelectronics | Galaxy Microelectronics |
包装说明 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 3 A | 3 A |
集电极-发射极最大电压 | 50 V | 50 V |
配置 | SINGLE | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 82 | 120 |
JEDEC-95代码 | TO-252 | TO-252 |
JESD-30 代码 | R-PSSO-G2 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 90 MHz | 90 MHz |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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