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CMLT7820G

产品描述SURFACE MOUNT PICOminiTM VERY LOW VCE(SAT) PNP SILICON TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小104KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMLT7820G概述

SURFACE MOUNT PICOminiTM VERY LOW VCE(SAT) PNP SILICON TRANSISTOR

CMLT7820G规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明HALOGEN FREE, PICOMINI-6
针数6
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-F6
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz

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CMLT7820G
SURFACE MOUNT
PICOmini
TM
VERY LOW VCE(SAT)
PNP SILICON TRANSISTOR
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT7820G is
a very low VCE(SAT) PNP Transistor, designed for
applications where small size and efficiency are the
prime requirements. Packaged in a space saving
PICOmini™ SOT-563 surface mount package, this
component provides performance characteristics
suitable for the most demanding size constrained
applications.
MARKING CODE: 78G
FEATURES:
Device is
Halogen Free
by design
High Current (IC=1.0A)
VCE(SAT)=0.34V MAX @ IC=1.0A
CC
E
CC
B
SOT-563 CASE
APPLICATIONS:
DC/DC Converters
Voltage Clamping
Protection Circuits
Battery powered Cell Phones, Pagers,
Digital Cameras, PDAs, Laptops, etc.
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current
Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage Junction Temperature
Thermal Resistance
PICOmini™ SOT563 surface mount package
Complementary NPN device
CMLT3820G
SYMBOL
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
PD
TJ, Tstg
Θ
JA
80
60
5.0
1.0
2.0
300
250
-65 to +150
500
MAX
100
100
UNITS
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
°C/W
UNITS
nA
nA
V
V
V
V
V
V
V
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS:
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN
ICBO
VCB=60V
IEBO
VEB=5.0V
BVCBO
IC=100μA
80
BVCEO
IC=10mA
60
BVEBO
IE=100μA
5.0
VCE(SAT)
IC=100mA, IB=1.0mA
VCE(SAT)
IC=500mA, IB=50mA
VCE(SAT)
IC=1.0A, IB=100mA
VBE(SAT)
IC=1.0A, IB=50mA
VBE(ON)
VCE=5.0V, IC=1.0A
VCE=5.0V, IC=1.0mA
200
hFE
hFE
VCE=5.0V, IC=500mA
150
hFE
VCE=5.0V, IC=1.0A
100
fT
VCE=10V, IC=50mA
150
Cob
VCB=10V, IE=0, f=1.0MHz
0.175
0.18
0.34
1.1
0.9
15
MHz
pF
R1 (30-September 2008)

 
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