XSC320580600B,XSC320580600B pdf中文资料,XSC320580600B引脚图,XSC320580600B电路-Datasheet-电子工程世界

XSC320580600B: 产品描述RES,SMT,THIN FILM,8.06K OHMS,100WV,.1% +/-TOL,-100,100PPM TC,0505 CASE; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小139KB，共3页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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XSC320580600B概述

RES,SMT,THIN FILM,8.06K OHMS,100WV,.1% +/-TOL,-100,100PPM TC,0505 CASE

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请问学NEC单片机有用吗？NEC的单片机应用多吗？: 在一家公司实习，该公司使用的芯片是NEC的单片机，不知学了这个单片机有没有用？请问学NEC单片机有用吗？NEC的单片机应用多吗？...; laxers 嵌入式系统

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详细分析功率MOS管的损坏原因: 第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和...; wangerxian 模拟电子

msp430 IO口模拟I2C 这两句代码是什么意思？: /*******************************************函数名称：Write_NByte功能：向EEPROM中写入N个字节的数据参数：outbuf--指向写入数据存放首地址的指针n--数据个数，最大不能超过8，由页地址决定其最大长度dataaddress--数据写入的首地址返回值：写入结果：1--成功，0--失败***************************...; lan0o0 微控制器 MCU

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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