MJE370概述

SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS

MJE370规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	3 A
集电极-发射极最大电压	30 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25
JEDEC-95代码	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	25 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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Central

Semiconductor Corp.

145 Adams Avenue

Hauppauge, NY 11788 USA

Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824

www.centralsemi.com

MJE370相似产品对比

	MJE370	MJE520
描述	SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS	SILICON COMPLEMENTARY POWER TRANSISTORS
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	3 A	3 A
集电极-发射极最大电压	30 V	30 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	25	25
JEDEC-95代码	TO-126	TO-126
JESD-30 代码	R-PSFM-T3	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	PNP	NPN
最大功率耗散 (Abs)	25 W	25 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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