C228D3,C228D3 pdf中文资料,C228D3引脚图,C228D3电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 模拟混合信号IC> 触发装置> C228D3

C228D3: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 35000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, CASE 311-02, 3 PIN; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小88KB，共2页; 制造商Motorola ( NXP ); 官网地址https://www.nxp.com

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C228D3概述

Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 35000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, CASE 311-02, 3 PIN

C228D3规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Motorola ( NXP )
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
针数	3
制造商包装代码	CASE 311-02
Reach Compliance Code	unknown
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	20 µs
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	40 mA
最大直流栅极触发电压	2.5 V
最大维持电流	75 mA
JESD-30 代码	O-MUPM-D3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	35 A
重复峰值关态漏电流最大值	10 µA
断态重复峰值电压	400 V
重复峰值反向电压	400 V
表面贴装	NO
端子形式	SOLDER LUG
端子位置	UPPER
触发设备类型	SCR
Base Number Matches	1

C228D3相似产品对比

	C228D3	C228D	C228A	C228A3	C228B	C228B3
描述	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 35000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, CASE 311-02, 3 PIN	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 35000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, CASE 263-04, 2 PIN	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 35000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, CASE 263-04, 2 PIN	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 35000mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, CASE 311-02, 3 PIN	Silicon Controlled Rectifier, 35A I(T)RMS, 35000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, CASE 263-04, 2 PIN	35A, 200V, SCR, CASE 311-02, 3 PIN
包装说明	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D2	POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
外壳连接	ISOLATED	ANODE	ANODE	ISOLATED	ANODE	ISOLATED
标称电路换相断开时间	20 µs	20 µs	20 µs	20 µs	20 µs	20 µs
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大直流栅极触发电流	40 mA	40 mA	40 mA	40 mA	40 mA	40 mA
最大直流栅极触发电压	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
最大维持电流	75 mA	75 mA	75 mA	75 mA	75 mA	75 mA
JESD-30 代码	O-MUPM-D3	O-MUPM-D2	O-MUPM-D2	O-MUPM-D3	O-MUPM-D2	O-MUPM-D3
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	3	2	2	3	2	3
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT	POST/STUD MOUNT
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	35 A	35 A	35 A	35 A	35 A	35 A
重复峰值关态漏电流最大值	10 µA	10 µA	10 µA	10 µA	10 µA	10 µA
断态重复峰值电压	400 V	400 V	100 V	100 V	200 V	200 V
重复峰值反向电压	400 V	400 V	100 V	100 V	200 V	200 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
端子形式	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG	SOLDER LUG
端子位置	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER	UPPER
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-
最大漏电流	-	-	3 mA	3 mA	3 mA	3 mA
通态非重复峰值电流	-	-	300 A	300 A	300 A	300 A
最大通态电压	-	-	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
最大通态电流	-	-	35000 A	35000 A	35000 A	35000 A

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