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GM23V8000AFW-30: 产品描述MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDSO32,; 产品类别存储存储; 文件大小121KB，共5页; 制造商Goldstar Electron Co Ltd

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GM23V8000AFW-30概述

MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDSO32,

GM23V8000AFW-30规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Goldstar Electron Co Ltd
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	300 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32
内存密度	8388608 bit
内存集成电路类型	MASK ROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	32
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
Base Number Matches	1

GM23V8000AFW-30相似产品对比

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描述	MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDSO32,	MASK ROM, 1MX8, 300ns, CMOS, PDIP32,	MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDIP32,	MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDSO32,	MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32,	MASK ROM, 1MX8, 200ns, CMOS, PDIP32,	MASK ROM, 1MX8, 250ns, CMOS, PDSO32,	MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDIP32,
厂商名称	Goldstar Electron Co Ltd	Goldstar Electron Co Ltd	Goldstar Electron Co Ltd	Goldstar Electron Co Ltd	Goldstar Electron Co Ltd	Goldstar Electron Co Ltd	Goldstar Electron Co Ltd	Goldstar Electron Co Ltd
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	300 ns	300 ns	250 ns	200 ns	150 ns	200 ns	250 ns	150 ns
JESD-30 代码	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32	R-PDSO-G32	R-PDIP-T32
内存密度	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit	8388608 bit
内存集成电路类型	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM	MASK ROM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8	1MX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	NO	NO	YES	YES	NO	YES	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	1

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