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5962-8852512XX

产品描述EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28
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文件大小239KB,共28页
制造商Xicor Inc
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5962-8852512XX概述

EEPROM, 32KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28, CERAMIC, DIP-28

5962-8852512XX规格参数

参数名称属性值
厂商名称Xicor Inc
包装说明DIP,
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间200 ns
JESD-30 代码R-GDIP-T28
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量28
字数32768 words
字数代码32000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织32KX8
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B
座面最大高度5.9 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)10 ms
Base Number Matches1

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REVISIONS
LTR
A
B
DESCRIPTION
Add "Changes in accordance with NOR 5962-R115-92."
Add software data protection. Increase data retention to 20 years,
minimum. Add device types 08 through 16. Remove tests t
DHWL
,
t
WHDX
, and ESDS requirements from drawing.
Add "Changes in accordance with NOR 5962-R071-95."
Updated boilerplate paragraphs. ksr
DATE (YR-MO-DA)
92-01-27
93-07-21
APPROVED
M. A. Frye
M. A. Frye
C
D
95-02-14
05-04-15
M. A. Frye
Raymond Monnin
The original first page has been replaced.
REV
SHEET
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SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
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PREPARED BY
Kenneth Rice
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D
14
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS
AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
CHECKED BY
Raymond Monnin
APPROVED BY
Michael A. Frye
DRAWING APPROVAL DATE
88-08-29
MICROCIRCUIT, MEMORY,
DIGITAL, CMOS 32K X 8
EEPROM, MONOLITHIC
SILICON
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
REVISION LEVEL
D
67268
1 OF
23
5962-88525
5962-E286-05
DSCC FORM 2233
APR 97
.
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