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BYV32-200

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小36KB,共1页
制造商EUPEC [eupec GmbH]
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BYV32-200概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon,

BYV32-200规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称EUPEC [eupec GmbH]
Reach Compliance Codeunknown
其他特性LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.15 V
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流600 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

BYV32-200相似产品对比

BYV32-200 ERC05-08 BYV32-100 BYV29-500 ERC01-06 BYR34-800 ERC01-10 BYV32-150
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, 800V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 9A, 500V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 600V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 20A, 800V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 150V V(RRM), Silicon,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 EUPEC [eupec GmbH] EUPEC [eupec GmbH] EUPEC [eupec GmbH] EUPEC [eupec GmbH] EUPEC [eupec GmbH] EUPEC [eupec GmbH] EUPEC [eupec GmbH] EUPEC [eupec GmbH]
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknow
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.15 V 1 V 1.15 V 1.4 V 1.1 V 1.6 V 1.1 V 1.15 V
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 150 A 100 A 150 A 100 A 130 A 100 A 130 A 150 A
最高工作温度 150 °C 140 °C 150 °C 150 °C 140 °C 150 °C 140 °C 150 °C
最大输出电流 10 A 1.2 A 10 A 9 A 1.5 A 20 A 1.5 A 10 A
最大重复峰值反向电压 200 V 800 V 100 V 500 V 600 V 800 V 1000 V 150 V
最大反向恢复时间 0.035 µs 10 µs 0.035 µs 0.05 µs 10 µs 0.08 µs 10 µs 0.035 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
其他特性 LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C - LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
应用 POWER POWER POWER POWER POWER - POWER POWER
外壳连接 CATHODE ISOLATED CATHODE CATHODE ISOLATED - ISOLATED CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS SINGLE COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS SINGLE SINGLE - SINGLE COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON - SILICON SILICON
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 O-PALF-W2 R-PSFM-T3 R-PSFM-T2 O-PALF-W2 - O-PALF-W2 R-PSFM-T3
元件数量 2 1 2 1 1 - 1 2
相数 1 1 1 1 1 - 1 1
端子数量 3 2 3 2 2 - 2 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR ROUND RECTANGULAR RECTANGULAR ROUND - ROUND RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT LONG FORM FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT LONG FORM - LONG FORM FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
最大反向电流 600 µA 10000 µA 600 µA 350 µA 10000 µA - 10000 µA 600 µA
端子形式 THROUGH-HOLE WIRE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE WIRE - WIRE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE AXIAL SINGLE SINGLE AXIAL - AXIAL SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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