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MBD54DWT1D

产品描述0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小123KB,共4页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MBD54DWT1D概述

0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

MBD54DWT1D规格参数

参数名称属性值
端子数量6
元件数量2
加工封装描述HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸SMALL OUTLINE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子涂层MATTE TIN
端子位置DUAL
包装材料PLASTIC/EPOXY
工艺SCHOTTKY
结构SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限0.1500 W
二极管类型SIGNAL DIODE
反向恢复时间最大0.0050 us
最大重复峰值反向电压30 V
最大平均正向电流0.2000 A

MBD54DWT1D相似产品对比

MBD54DWT1D NSVMBD54DWT1G MBD54DWT1G
描述 0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA
端子数量 6 6 6
元件数量 2 2 2
表面贴装 Yes YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 SIGNAL DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大重复峰值反向电压 30 V 30 V 30 V
Brand Name - ON Semiconductor ON Semiconductor
是否无铅 - 不含铅 不含铅
厂商名称 - ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 - SC-88, SOT-363, 6 PIN R-PDSO-G6
制造商包装代码 - 419B-02 419B-02
Reach Compliance Code - compliant compliant
Factory Lead Time - 8 weeks 1 week
应用 - FAST RECOVERY FAST RECOVERY
最小击穿电压 - 30 V 30 V
配置 - SEPARATE, 2 ELEMENTS SEPARATE, 2 ELEMENTS
最大正向电压 (VF) - 1 V 1 V
JESD-30 代码 - R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
JESD-609代码 - e3 e3
湿度敏感等级 - 1 1
最大非重复峰值正向电流 - 0.6 A 0.6 A
相数 - 1 1
最高工作温度 - 125 °C 125 °C
最大输出电流 - 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 - 0.15 W 0.15 W
最大反向电流 - 2 µA 2 µA
最大反向恢复时间 - 0.005 µs 0.005 µs
反向测试电压 - 25 V 25 V
技术 - SCHOTTKY SCHOTTKY
端子面层 - Tin (Sn) Tin (Sn)
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