0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 6 |
元件数量 | 2 |
加工封装描述 | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINIATURE, CASE 419B-02, SC-88, 6 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
中国RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | RECTANGULAR |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子涂层 | MATTE TIN |
端子位置 | DUAL |
包装材料 | PLASTIC/EPOXY |
工艺 | SCHOTTKY |
结构 | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
最大功耗极限 | 0.1500 W |
二极管类型 | SIGNAL DIODE |
反向恢复时间最大 | 0.0050 us |
最大重复峰值反向电压 | 30 V |
最大平均正向电流 | 0.2000 A |
MBD54DWT1D | NSVMBD54DWT1G | MBD54DWT1G | |
---|---|---|---|
描述 | 0.2 A, 30 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE | DIODE SCHOTTKY DUAL 30V SOT363 | 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V @ 100mA |
端子数量 | 6 | 6 | 6 |
元件数量 | 2 | 2 | 2 |
表面贴装 | Yes | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | SIGNAL DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大重复峰值反向电压 | 30 V | 30 V | 30 V |
Brand Name | - | ON Semiconductor | ON Semiconductor |
是否无铅 | - | 不含铅 | 不含铅 |
厂商名称 | - | ON Semiconductor(安森美) | ON Semiconductor(安森美) |
包装说明 | - | SC-88, SOT-363, 6 PIN | R-PDSO-G6 |
制造商包装代码 | - | 419B-02 | 419B-02 |
Reach Compliance Code | - | compliant | compliant |
Factory Lead Time | - | 8 weeks | 1 week |
应用 | - | FAST RECOVERY | FAST RECOVERY |
最小击穿电压 | - | 30 V | 30 V |
配置 | - | SEPARATE, 2 ELEMENTS | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
最大正向电压 (VF) | - | 1 V | 1 V |
JESD-30 代码 | - | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
JESD-609代码 | - | e3 | e3 |
湿度敏感等级 | - | 1 | 1 |
最大非重复峰值正向电流 | - | 0.6 A | 0.6 A |
相数 | - | 1 | 1 |
最高工作温度 | - | 125 °C | 125 °C |
最大输出电流 | - | 0.2 A | 0.2 A |
封装主体材料 | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | - | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散 | - | 0.15 W | 0.15 W |
最大反向电流 | - | 2 µA | 2 µA |
最大反向恢复时间 | - | 0.005 µs | 0.005 µs |
反向测试电压 | - | 25 V | 25 V |
技术 | - | SCHOTTKY | SCHOTTKY |
端子面层 | - | Tin (Sn) | Tin (Sn) |
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