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BUK445-50B

产品描述Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小504KB,共5页
制造商North American Philips Discrete Products Div
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BUK445-50B概述

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

BUK445-50B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称North American Philips Discrete Products Div
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)20 A
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码e0
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)30 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

BUK445-50B相似产品对比

BUK445-50B BUK445-50A
描述 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
是否Rohs认证 不符合 不符合
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 20 A 21 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码 e0 e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 30 W 30 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches 1 1
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