Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
Î
Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
MAXIMUM RATINGS
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Thermal Resistance, Junction to Case
Operating and Storage Junction Temperature Range
Unclamped Inducting Load Energy (See Figure 10)
Total Power Dissipation
@ TA = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Total Power Dissipation
@ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
Base Current
Collector Current — Continuous
Peak
Emitter–Base Voltage
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Rating
Characteristic
Symbol
TJ, Tstg
VCEO
VCB
VEB
PD
PD
IC
IB
E
MJE5730
Symbol
R
θJC
R
θJA
300
300
– 65 to + 150
MJE5731
2.0
0.016
40
0.32
350
350
1.0
1.0
3.0
5.0
20
3.125
62.5
Max
MJE5731A
CASE 221A–06
TO–220AB
375
375
©
Motorola, Inc. 1997
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
•
•
•
•
. . . designed for line operated audio output amplifier, SWITCHMODE power supply
drivers and other switching applications.
High Voltage PNP Silicon Power
Transistors
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MOTOROLA
REV 1
300 V to 400 V (Min) — VCEO(sus)
1.0 A Rated Collector Current
Popular TO–220 Plastic Package
PNP Complements to the TIP47 thru TIP50 Series
MJE5730
MJE5731
MJE5731A
1.0 AMPERE
POWER TRANSISTORS
PNP SILICON
300 – 350 – 400 VOLTS
40 WATTS
Order this document
by MJE5730/D
_
C/W
_
C/W
Watts
W/
_
C
Watts
W/
_
C
Unit
Unit
Adc
Adc
Vdc
Vdc
Vdc
mJ
_
C
1
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎ Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
(1) Pulse Test: Pulse Width
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TC = 25
_
C unless otherwise noted)
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS (1)
OFF CHARACTERISTICS
Small–Signal Current Gain
(IC = 0.2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
Current Gain — Bandwidth Product
(IC = 0.2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 2.0 MHz)
Base–Emitter On Voltage
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc)
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.2 Adc)
DC Current Gain
(IC = 0.3 Adc, VCE = 10 Vdc)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 10 Vdc)
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 300 Vdc, VBE = 0)
(VCE = 350 Vdc, VBE = 0)
(VCE = 400 Vdc, VBE = 0)
Collector Cutoff Current
(VCE = 200 Vdc, IB = 0)
(VCE = 250 Vdc, IB = 0)
(VCE = 300 Vdc, IB = 0)
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mAdc, IB = 0)
2
200
v
300
µs,
Duty Cycle
v
2.0%.
VCE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
100
3.0
2.0
0.02 0.03
5.0
hFE, DC CURRENT GAIN
10
30
20
50
TJ = 150°C
– 55°C
25°C
0.05
Figure 1. DC Current Gain
0.1
0.2 0.3
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Characteristic
VCE = 10 V
1.0
2.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.2
1.4
MJE5730
MJE5731
MJE5731A
MJE5730
MJE5731
MJE5731A
MJE5730
MJE5731
MJE5731A
0
0.02 0.03
1
Figure 2. Collector–Emitter Saturation Voltage
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
VCE(sat)) @ IC/IB = 5.0
VCEO(sus)
VCE(sat)
VBE(on)
Symbol
ICEO
IEBO
ICES
hFE
hfe
fT
Min
300
350
375
25
10
30
10
—
—
—
—
—
—
—
—
—
TJ = 25°C
Max
150
—
1.5
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
—
—
—
—
—
– 55°C
mAdc
mAdc
mAdc
150°C
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
—
—
0.05
0.2 0.3
0.1
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0
2.0
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
1.4
1.2
0.8
V, VOLTAGE (V)
VBE(sat) @ IC/IB = 5.0
0.8
25°C
0.6
0.4
0.2
0
0.02 0.03
0
150°C
DERATING FACTOR
1.0
TJ = – 55°C
1.0
SECOND BREAKDOWN
DERATING
0.6
THERMAL
DERATING
0.4
0.2
0.05
0.1
0.2
0.3
0.5
1.0
2.0
0
25
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
150
50
75
100
125
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
175
Figure 3. Base–Emitter Voltage
Figure 4. Normalized Power Derating
10
5.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
2.0
1.0
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
5.0
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMIT
SECOND BREAKDOWN LIMIT MJE5730
MJE5731
MJE5732
10
20 30
50
200 300
100
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
500
TC = 25°C
dc
1.0 ms
500
µs
100
µs
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation;
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on T J(pk) = 150
_
C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)
150
_
C. T J(pk) may be calculated from the data in Figure 6.
At high case temperatures, thermal limitations will reduce the
power that can be handled to values less than the limitations
imposed by second breakdown.
v
Figure 5. Forward Bias Safe Operating Area
r(t), TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (NORMALIZED)
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
R
θJC(t)
= r(t) R
θJC
R
θJC
= 3.125°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk)
θ
JC(t)
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
t, TIME (ms)
10
20
50
P(pk)
t1
t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
100
200
500
1k
0.01
0.01
0.02
Figure 6. Thermal Response
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
3
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
TURN–ON PULSE
t1
VBE(off)
Vin
APPROX
.
–11 V
t2
t3
51
Cjd << Ceb
0V
VCC
t1
≤
7.0 ns
100
≤
t2 < 500
µs
t3 < 15 ns
RC
SCOPE
RB
Vin
APPROX. + 9.0 V
DUTY CYCLE
≈
2.0%
+ 4.0 V
TURN–OFF PULSE
Figure 7. Switching Time Equivalent Circuit
1.0
0.5
0.3
t, TIME (
µ
s)
0.2
0.1
0.05
0.03
0.02
0.01
0.02 0.03
td
tr
TJ = 25°C
VCC = 200 V
IC/IB = 5.0
t, TIME (
µ
s)
5.0
3.0
2.0
tf
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.02 0.03
ts
TJ = 25°C
VCC = 200 V
IC/IB = 5.0
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0
2.0
0.05
0.1
0.2 0.3
0.5
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0
2.0
Figure 8. Turn–On Resistive Switching Times
Figure 9. Resistive Turn–Off Switching Times
Test Circuit
VCE MONITOR
MJE171
50
INPUT
50
+
VBB1 = 10 V
–
RBB2 =
100
Ω
RBB1 =
150
Ω
TUT
+
–
VBB2 =
0
RS =
0.1
Ω
INPUT
VOLTAGE
100 mH
VCC = 20 V
IC MONITOR
Voltage and Current Waveforms
tw
≈
3 ms
(SEE NOTE 1)
0V
–5 V
100 ms
0.63 A
COLLECTOR
CURRENT 0 V
VCER
COLLECTOR
VOLTAGE
10 V
VCE(sat)
Figure 10. Inductive Load Switching
4
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
MJE5730 MJE5731 MJE5731A
PACKAGE DIMENSIONS
–T–
B
4
SEATING
PLANE
F
T
S
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
INCHES
MIN
MAX
0.570
0.620
0.380
0.405
0.160
0.190
0.025
0.035
0.142
0.147
0.095
0.105
0.110
0.155
0.018
0.025
0.500
0.562
0.045
0.060
0.190
0.210
0.100
0.120
0.080
0.110
0.045
0.055
0.235
0.255
0.000
0.050
0.045
–––
–––
0.080
MILLIMETERS
MIN
MAX
14.48
15.75
9.66
10.28
4.07
4.82
0.64
0.88
3.61
3.73
2.42
2.66
2.80
3.93
0.46
0.64
12.70
14.27
1.15
1.52
4.83
5.33
2.54
3.04
2.04
2.79
1.15
1.39
5.97
6.47
0.00
1.27
1.15
–––
–––
2.04
Q
1 2 3
A
U
K
H
Z
L
V
G
D
N
R
J
STYLE 1:
PIN 1.
2.
3.
4.
BASE
COLLECTOR
EMITTER
COLLECTOR
CASE 221A–06
TO–220AB
ISSUE Y
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
5
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
