Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
Vorläufige Daten
Preliminary data
V
RRM
V
RSM
I
FRMSM
I
FAVM
I
FSM
I²t
200, 400
600
250, 450
650
8000
V
V
V
V
A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
Dauergrenzstrom
mean forward current
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I²t-value
T
K
= 118°C
T
vj
= - 25°C...T
vj max
T
vj
= + 25°C...T
vj max
5100
A
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
T
vj
= 25°C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
60
52
18,0
13,5
kA
kA
A²s*10
6
A²s*10
6
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 14kA
v
F
V
(TO)
r
T
i
R
max.
1,36
V
T
vj
= T
vj max
0,7
V
mΩ
T
vj
= T
vj max
0,047
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
60
mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided,
Θ
= 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode,
Θ
= 180°sin
Anode / anode, DC
Kathode / cathode,
Θ
= 180°sin
Kathode / cathode, DC
R
thJC
max. 0,00935
max. 0,00879
max.
max.
max.
max.
R
thCK
max.
0,0030
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
T
vj max
T
c op
T
stg
180
°C
- 40...+180
°C
- 40...+180
°C
SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
Vorläufige Daten
Preliminary data
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Anpreßkraft
clamping force
Gewicht
weight
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
F
30...45
kN
G
typ.
102
g
mm
50
m/s²
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant
O-Rin
g.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
4,1
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor
46 DN 02 ... 06
N
Kühlung
cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC
für DC
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
0,000017
0,000014
2
0,000150
0,000173
3
0,00105
0,00110
4
0,000413
0,004360
5
0,00093
0,01950
6
0,003475
0,092000
7
0,00275
0,28200
beidseitig
two-sided
anodenseitig
anode-sided
kathodenseitig
cathode-sided
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
R
thn
[°C/W]
τ
n
[s]
=
∑
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
τ
n
))
n=1
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
18000
v
T
= A+B*i
T
+ln(i
T
+1)+√i
T
T
vj
= 25 °C
16000
A = 0,884
B =1,22746E-05
C = -2,603E-02
D = 5,4002E-03
= 0,63337
= 7,07695E-06
= -2,8199E-02
= 7,553E-03
T
vj
= T
vj max
14000
12000
10000
i
F
[A]
8000
6000
4000
2000
0
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
v
F
[V]
Grenzdurchlaßkennlinien / Limiting 0n-state characteristics i
F
= f(v
T
)
T
vj
= T
vjmax
T
vj
= 25 °C
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