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BAV70LT1

产品描述2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共2页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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BAV70LT1概述

2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB

BAV70LT1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.3 V
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流0.5 A
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最大输出电流0.2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.225 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压70 V
最大反向恢复时间0.006 µs
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
Base Number Matches1

BAV70LT1相似产品对比

BAV70LT1 BAV70LT3
描述 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
厂商名称 Motorola ( NXP ) Motorola ( NXP )
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 2 2
端子数量 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.225 W 0.225 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大反向恢复时间 0.006 µs 0.006 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1

 
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