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BSX46-10

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小74KB,共3页
制造商COMSET
官网地址http://comset.halfin.com/
标准
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BSX46-10概述

Transistor

BSX46-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称COMSET
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)1 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值6.25 W
最大功率耗散 (Abs)6.25 W
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
最大关闭时间(toff)850 ns
最大开启时间(吨)200 ns
VCEsat-Max1 V
Base Number Matches1

BSX46-10相似产品对比

BSX46-10 BSX47-10 BSX45-10 BSX47-16
描述 Transistor Transistor Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 COMSET COMSET COMSET COMSET
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A 1 A
集电极-发射极最大电压 60 V 80 V 40 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 25 100
JEDEC-95代码 TO-39 TO-39 TO-39 TO-39
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C -65 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
功耗环境最大值 6.25 W 6.25 W 6.25 W 6.25 W
最大功率耗散 (Abs) 6.25 W 6.25 W 6.25 W 6.25 W
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz 50 MHz
最大关闭时间(toff) 850 ns 850 ns 850 ns 850 ns
最大开启时间(吨) 200 ns 200 ns 200 ns 200 ns
VCEsat-Max 1 V 0.9 V 1 V 0.9 V

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