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BUZ60B

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小63KB,共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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BUZ60B概述

Power Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 400V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

BUZ60B规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE
最小漏源击穿电压400 V
最大漏极电流 (ID)4.5 A
最大漏源导通电阻1.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-MSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1
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