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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> BYT56D(Z)
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BYT56D(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 200V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小90KB，共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BYT56D(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 200V V(RRM),

BYT56D(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流3 A
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BYT56A(Z)--- BYT56M(Z)
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 3.0 A
HIGH EFFICIENCY ECTIFIERS
Fast recovery times
Ul 90V0 flame retardant epoxy molding compound
Diffused junction
Low cost
High surge current capability
Bevel round chip, aualanche operation
DO - 27
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYT
56A
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYT
56B
100
70
100
BYT
56D
200
140
200
BYT
56G
400
280
400
3.0
BYT
56J
600
420
600
BYT
56K
800
560
800
BYT
56M
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
150.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0A
Maximum reverse current
@T
A
=25
at rated DC blocking voltage @T
A
=100
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
75
1.4
10.0
150.0
100
50
30
- 55 ---- + 150
- 55 ---- + 150
V
A
ns
pF
／Ｗ
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MH
Z
and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0262025
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BYT56D(Z)相似产品对比

BYT56D(Z) BYT56A(Z) BYT56K(Z) BYT56M(Z) BYT56G(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 50V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 800V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 400V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.4 V 1.4 V 1.4 V 1.4 V 1.4 V
最大非重复峰值正向电流 150 A 150 A 150 A 150 A 150 A
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A 3 A 3 A
最大重复峰值反向电压 200 V 50 V 800 V 1000 V 400 V
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics - - Galaxy Microelectronics
Base Number Matches 1 1 1 1 -

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