Operational Amplifier, 4 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | ELANTEC (Renesas ) |
Reach Compliance Code | unknown |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 6 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 4 µA |
最小共模抑制比 | 70 dB |
标称共模抑制比 | 80 dB |
频率补偿 | YES (AVCL>=10) |
最大输入失调电压 | 10000 µV |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 |
JESD-609代码 | e0 |
低-失调 | NO |
负供电电压上限 | -17.5 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 4 |
端子数量 | 14 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP14,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
最小摆率 | 250 V/us |
标称压摆率 | 350 V/us |
最大压摆率 | 18 mA |
供电电压上限 | 17.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 200000 kHz |
最小电压增益 | 10000 |
宽带 | YES |
Base Number Matches | 1 |
EL2423J | EL2423J/883B | EL2423CJ | EL2423L/883B | |
---|---|---|---|---|
描述 | Operational Amplifier, 4 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14, | Operational Amplifier, 4 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14, | Operational Amplifier, 4 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14, | Operational Amplifier, 4 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CQCC20, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | ELANTEC (Renesas ) | ELANTEC (Renesas ) | ELANTEC (Renesas ) | ELANTEC (Renesas ) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 6 µA | 6 µA | 6 µA | 6 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 4 µA | 4 µA | 4 µA | 4 µA |
最小共模抑制比 | 70 dB | 70 dB | 70 dB | 70 dB |
标称共模抑制比 | 80 dB | 80 dB | 80 dB | 80 dB |
频率补偿 | YES (AVCL>=10) | YES (AVCL>=10) | YES (AVCL>=10) | YES (AVCL>=10) |
最大输入失调电压 | 10000 µV | 10000 µV | 10000 µV | 10000 µV |
JESD-30 代码 | R-GDIP-T14 | R-GDIP-T14 | R-GDIP-T14 | S-CQCC-N20 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
低-失调 | NO | NO | NO | NO |
负供电电压上限 | -17.5 V | -17.5 V | -17.5 V | -17.5 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
功能数量 | 4 | 4 | 4 | 4 |
端子数量 | 14 | 14 | 14 | 20 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 75 °C | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | - | -55 °C |
封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
封装代码 | DIP | DIP | DIP | QCCN |
封装等效代码 | DIP14,.3 | DIP14,.3 | DIP14,.3 | LCC20,.35SQ |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | SQUARE |
封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最小摆率 | 250 V/us | 250 V/us | 250 V/us | 250 V/us |
标称压摆率 | 350 V/us | 350 V/us | 350 V/us | 350 V/us |
最大压摆率 | 18 mA | 18 mA | 18 mA | 18 mA |
供电电压上限 | 17.5 V | 17.5 V | 17.5 V | 17.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | YES |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY | MILITARY | COMMERCIAL EXTENDED | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 200000 kHz | 200000 kHz | 200000 kHz | 200000 kHz |
最小电压增益 | 10000 | 10000 | 10000 | 10000 |
宽带 | YES | YES | YES | YES |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 |
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