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BZT03D11-TAP

产品描述Zener Diode, 11V V(Z), 10%, 1.3W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共4页
制造商Vishay Telefunken (Vishay)
官网地址http://www.vishay.com
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BZT03D11-TAP概述

Zener Diode, 11V V(Z), 10%, 1.3W,

BZT03D11-TAP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay Telefunken (Vishay)
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗7 Ω
JESD-609代码e0
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散1.3 W
标称参考电压11 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差10%
Base Number Matches1

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BZT03D...
Vishay Telefunken
Silicon Z–Diodes and Transient Voltage Suppressors
Features
D
Glass passivated junction
D
Hermetically sealed package
D
Clamping time in picoseconds
Applications
Medium power voltage regulators and medium power
transient suppression circuits
94 9539
Order Instruction
Type
BZT03D6V2
Ordering Code
BZT03D6V2–TAP
BZT03D6V2–TR
Remarks
Ammopack
Tape and Reel
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Test Conditions
l=10 mm, T
L
=25
°
C
T
amb
=25
°
C
Type
Symbol
P
V
P
V
P
ZRM
P
ZSM
T
j
T
stg
Value
3.25
1.3
10
600
175
–65...+175
Unit
W
W
W
W
°
C
°
C
Repetitive peak reverse power dissipation
Non repetitive peak surge power dissipation t
p
=100
m
s, T
j
=25
°
C
Junction temperature
Storage temperature range
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=10 mm, T
L
=constant
on PC board with spacing 25 mm
Symbol
R
thJA
R
thJA
Value
46
100
Unit
K/W
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=0.5A
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.2
Unit
V
Document Number 85600
Rev. 3, 12-Mar-01
www.vishay.com
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