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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> UFZT651
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UFZT651

产品描述Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小102KB，共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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UFZT651概述

Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin

UFZT651规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)3 A
基于收集器的最大容量30 pF
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PDSO-G4
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量4
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)175 MHz
VCEsat-Max0.6 V
Base Number Matches1

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SOT223 NPN SILICON PLANAR
HIGH PERFORMANCE TRANSISTORS
ISSUE 2 – FEBRUARY 1995
FEATURES
* 60 Volt V
CEO
* 3 Amp continuous current
* Low saturation voltage
COMPLEMENTARY TYPE – FZT751
PARTMARKING DETAIL – FZT651
FZT651
C
E
C
B
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
SYMBOL MIN.
V
(BR)CBO
80
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
70
100
80
40
140
0.12
0.43
0.9
0.8
200
200
170
80
175
45
800
30
60
5
0.1
10
0.1
0.3
0.6
1.25
1
300
MHz
ns
ns
pF
TYP.
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
MAX.
UNIT
V
V
V
µ
A
µ
A
µ
A
VALUE
80
60
5
6
3
2
-55 to +150
CONDITIONS.
I
C
=100
µ
A
I
C
=10mA*
I
E
=100
µ
A
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Turn-On Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition Frequency
Switching Times
Output Capacitance
V
V
V
V
V
CB
=60V
V
CB
=60V,
T
amb
=100°C
V
EB
=4V
I
C
=1A, I
B
=100mA*
I
C
=3A, I
B
=300mA*
I
C
=1A, I
B
=100mA*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=50mA, V
CE
=2V*
I
C
=500mA, V
CE
=2V*
I
C
=1A, V
CE
=2V*
I
C
=2A, V
CE
=2V*
I
C
=100mA, V
CE
=5V
f=100MHz
I
C
=500mA, V
CC
=10V
I
B1
=I
B2
=50mA
V
CB
=10V, f=1MHz
f
T
t
on
t
off
C
obo
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
Spice parameter data is available upon request for this device
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UFZT651 UFZT651TA
描述 Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A
基于收集器的最大容量 30 pF 30 pF
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JESD-30 代码 R-PDSO-G4 R-PDSO-G4
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) MATTE TIN
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 175 MHz 175 MHz
VCEsat-Max 0.6 V 0.6 V
Base Number Matches 1 1

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