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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FMMT415TD
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FMMT415TD

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小98KB，共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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FMMT415TD在线购买

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FMMT415TD概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

FMMT415TD规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
基于收集器的最大容量8 pF
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)25
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)40 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

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SOT23 NPN SILICON PLANAR
AVALANCHE TRANSISTOR
ISSUE 4 - OCTOBER 1995
7
FEATURES
* Specifically designed for Avalanche mode operation
* 60A Peak Avalanche Current (Pulse width=20ns)
APPLICATIONS
* Laser LED drivers
* Fast edge generation
* High speed pulse generators
PARTMARKING DETAIL –
FMMT415 – 415
FMMT417 – 417
FMMT415
FMMT417
C
B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Continuous Collector Current
Peak Collector Current (Pulse Width=20ns)
Power Dissipation
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown
Voltage
SYMBOL
FMMT415 V
(BR)CES
FMMT417
V
CEO(sus)
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
j
:T
stg
MIN.
260
320
100
6
0.1
10
0.1
0.5
0.9
15
25
25
40
8
MHz
pF
TYP.
FMMT415
260
100
6
500
60
330
-55 to +150
MAX. UNIT
V
V
V
V
µ
A
µ
A
µ
A
SOT23
FMMT417
320
100
UNIT
V
V
V
mA
A
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
CONDITIONS.
I
C
=1mA
T
amb
= -55 to +150°C
I
C
=1mA
I
C
=100
µ
A
I
E
=10
µ
A
V
CB
=180V
V
CB
=180V,
T
amb
=100°C
V
EB
=4V
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
I
C
=10mA, I
B
=1mA*
V
C
=200V, C
CE
=620pF
V
C
=250V, C
CE
=620pF
I
C
=10mA, V
CE
=10V*
I
C
=10mA, V
CE
=20V
f=20MHz
V
CB
=20V, I
E
=0
f=100MHz
Collector-Emitter Breakdown
Voltage
Collector Cut-Off Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter Saturation
Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Current in Second Breakdown
(Pulsed)
Static Forward Current Transfer
Ratio
Transition Frequency
Collector-Base Capacitance
Emitter-Base Breakdown Voltage V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
I
SB
h
FE
f
T
C
cb
V
V
A
A
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
3 - 104

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A 0.5 A 0.5 A
基于收集器的最大容量 8 pF 8 pF 8 pF 8 pF
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 25 25 25 25
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260 260 260
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 40 MHz 40 MHz 40 MHz 40 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V 0.5 V
Base Number Matches 1 1 1 1

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