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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FMMT549A
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FMMT549A

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小152KB，共2页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
标准
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FMMT549A概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

FMMT549A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
基于收集器的最大容量25 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)150
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
最大关闭时间（toff）300 ns
最大开启时间（吨）50 ns
VCEsat-Max0.3 V
Base Number Matches1

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SOT23 PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTORS
ISSUE 3 - OCTOBER 1995
7
FEATURES
* Low equivalent on-resistance;
R
CE(sat)
250mΩ at 1A
* 1 Amp continuous current
COMPLEMENTARY TYPES – FMMT549 - FMMT449
FMMT549A - N/A
PARTMARKING DETAIL –
FMMT549 - 549
FMMT549A - 59A
FMMT549
FMMT549A
C
B
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Base Current
Power Dissipation:
at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
PARAMETER
Breakdown Voltages
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
Cut-Off Currents
I
CBO
I
EBO
Saturation Voltages
FMMT549A
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
TYP.
MAX.
VALUE
-35
-30
-5
-2
-1
-200
500
-55 to +150
UNIT
V
V
V
UNIT
V
V
V
A
A
mA
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
MIN.
-35
-30
-5
-0.1
-10
-0.1
-0.25
-0.50
-0.9
-0.85
70
80
40
100
150
f
T
C
obo
t
on
50
100
25
200
130
80
160
200
300
500
MHz
pF
ns
-0.50
-0.75
-0.30
V
BE(sat)
Base Emitter Turn-on Voltage V
BE(on)
Static Forward Current
Transfer Ratio
FMMT549
FMMT549A
CONDITIONS.
I
C
=-100
µ
A
I
C
=-10mA*
I
E
=-100
µ
A
V
CB
=-30V
V
CB
=-30V, T
amb
=100°C
V
EB
=-4V
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-100mA, I
B
=-1mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-50mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
V
CB
=-10V, f=1MHz
I
C
=-500mA, V
CC
=-10V
I
B1
=I
B2
=-50mA
µ
A
µ
A
µ
A
V
CE(sat)
V
V
V
V
V
-1.25
-1
h
FE
Transition Frequency
Output Capacitance
Switching Times
300
ns
t
off
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%
3 - 127

FMMT549A相似产品对比

FMMT549A FMMT549
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A
基于收集器的最大容量 25 pF 25 pF
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 150 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e3 e3
湿度敏感等级 1 1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度） 260 260
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz
最大关闭时间（toff） 300 ns 300 ns
最大开启时间（吨） 50 ns 50 ns
VCEsat-Max 0.3 V 0.75 V
Base Number Matches 1 1

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