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BYW36(Z)

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-15, DO-15L, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BYW36(Z)概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-15, DO-15L, 2 PIN

BYW36(Z)规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流40 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压600 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
BYW32(Z) - - - BYW36(Z)
VOLTAGE RANGE: 200---600 V
CURRENT: 2.0 A
FAST RECOVERY RECTIFIER
DO - 15L
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-15L,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.024 ounces,0.068 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BYW
32
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BYW
33
300
210
300
BYW
34
400
280
400
2.0
BYW
35
500
350
500
BYW
36
600
420
600
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
200
140
200
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
40.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 2.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=150
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
1.2
5.0
50.0
200
22
35
- 55---- +150
- 55---- +150
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0261049
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BYW36(Z)相似产品对比

BYW36(Z) BYW33(Z) BYW35(Z)
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 600V V(RRM), Silicon, DO-15, DO-15L, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 300V V(RRM), Silicon, DO-15, DO-15L, 2 PIN Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 500V V(RRM), Silicon, DO-15, DO-15L, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JEDEC-95代码 DO-15 DO-15 DO-15
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 40 A 40 A 40 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 2 A 2 A 2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 600 V 300 V 500 V
最大反向电流 5 µA 5 µA 5 µA
最大反向恢复时间 0.2 µs 0.2 µs 0.2 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 Galaxy Microelectronics - Galaxy Microelectronics
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