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BYM36E: 产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小70KB，共2页; 制造商Gulf Semiconductor; 官网地址http://www.gulfsemi.com/

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BYM36E概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 1000V V(RRM), Silicon, GLASS PACKAGE-2

BYM36E规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Gulf Semiconductor
包装说明	E-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW LEAKAGE CURRENT
应用	FAST RECOVERY
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.78 V
JESD-30 代码	E-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流	65 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	3 A
封装主体材料	GLASS
封装形状	ELLIPTICAL
封装形式	LONG FORM
最大重复峰值反向电压	1000 V
最大反向电流	5 µA
最大反向恢复时间	0.15 µs
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
Base Number Matches	1

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BYM36E

SINTERED GLASS JUNCTION

FAST AVALANCHE RECTIFIER

VOLTAGE：1000V

：

CURRENT: 3.0A

FEATURE

Glass passivated

High maximum operating temperature

Low leakage current

Excellent stability

Guaranteed avalanche energy absorption capability

SOD-64

MECHANICAL DATA

Case: SOD-64 sintered glass case

Terminal: Plated axial leads solderable per

MIL-STD 202E, method 208C

Polarity: color band denotes cathode end

Mounting position: any

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)

SYMBOL

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

Maximum DC blocking Voltage

BYM36E

1000

700

1000

1100min

3.0

1.78

5.0

150.0

150

-65 to +175

units

RRM

RMS

(BR)R

FAV

FSM

RSM

Trr

th(ja)

Tstg, Tj

Reverse avalanche breakdown voltage

at I

= 0.1 mA

Maximum Average Forward Rectified

Current 3/8”lead length at Ttp =55

°C

Peak Forward Surge Current at Tp=10ms half

sinewave

Maximum Forward Voltage at rated Forward Current

Non-repetitive peak reverse avalanche energy

(Note 1)

Maximum DC Reverse Current

at rated DC blocking voltage

Maximum Reverse Recovery Time

Diode Capacitance

Typical Thermal Resistance

Storage and Operating Junction Temperature

Ta =25

°C

Ta =165

°C

(Note 2)

(Note 3)

(Note 4)

°C

Note:

1. I

=400mA; Tj=Tjmax prior to surge; inductive load switched off

2. Reverse Recovery Condition If

=0.5A,

Ir =1.0A, Irr =0.25A

3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 0Vdc

Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5mm thick

Rev.A1

www.gulfsemi.com

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