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GS1KF1

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小623KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
标准
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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GS1KF1概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

GS1KF1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称扬杰科技(YANGJIE)
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FREE WHEELING DIODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
最大重复峰值反向电压800 V
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

GS1KF1文档预览

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GS1A THRU GS1M
Surface Mount General Purpose Rectifier
Features
RoHS
COMPLIANT
● Low profile package
● Ideal for automated placement
● Glass passivated chip junction
● High forward surge capability
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak
of 260 °
C
Typical Applications
For use in general purpose rectification of power
supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for
consumer and telecommunication.
Mechanical Data
Package:
DO-
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability
rating, RoHS-compliant, halogen-free
Terminals:
Tin plated leads, solderable per
J-STD-002 and JESD22-B102
Polarity:
Cathode line denotes the cathode end
Maximum Ratings
(Ta=25℃ Unless otherwise specified
PARAMETER
Device marking code
Repetitive peak reverse voltage
Average rectified output current
@60Hz sine wave, Resistance load, Ta (FIG.1)
Surge(non-repetitive)forward current
@ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃
Current squared time
@1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃,Rating of per diode
Storage temperature
Junction temperature
VRRM
IO
V
A
SYMBOL
UNIT
GS1A
GS1A
50
GS1B
GS1B
100
GS1D
GS1D
200
GS1G
GS1G
400
1.0
GS1J
GS1J
600
GS1K
GS1K
800
GS1M
GS1M
1000
IFSM
A
30
It
Tstg
Tj
2
A
2
S
3.7
-55~+150
-55 ~ +150
■Electrical
Characteristics
(T
a
=25℃ Unless otherwise specified)
PARAMETER
Maximum instantaneous
forward voltage drop per diode
Maximum DC reverse current at
rated DC blocking voltage per diode
@ VRM=VRRM
SYMBOL
VF
UNIT
V
TEST
CONDITIONS
IFM=1.0A
Ta=25℃
IRRM
μA
Ta=125℃
100
GS1A
GS1B
GS1D
GS1G
GS1J
GS1K
GS1M
1.1
5
1/4
S-S048
Rev. 2.3, 28-Apr-14
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
www.21yangjie.com
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