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BZV58C130

产品描述Zener Diode, 130V V(Z), 6.4%, 5W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BZV58C130概述

Zener Diode, 130V V(Z), 6.4%, 5W,

BZV58C130规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗190 Ω
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大功率耗散5 W
标称参考电压130 V
表面贴装NO
最大电压容差6.4%
工作测试电流10 mA
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
ZENER DIODES
BZV58C8.2 --- BZV58C200
Vz RANGE: 1.0, 3.9 - 200V
POWER DISSIPATION: 5.0 W
Sillcon planar power zener diodes
For use in stabilizing and clipping curcuits with high
power rating.
The zener voltages are graded according to the
international E 12 standard. Smaller voltage tolerances
are avallable upon request.
These diodes are also available in the MELF case with
the type designation ZMY10…ZMY100.
DO - 27
MECHANICAL DATA
Case:DO-27, plastic case
Terminals: solderable per MIL-STD-202, method 208
Polarity: cathode band
Marking: type number
Approx. weight: 1.15 grams.
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
Zener current (see Table "Characteristics")
VALUE
UNIT
Pow er dissipation at Tamb=25
P
tot
R
thA
T
J
T
s
R
thL
5
(1)
25
(1)
-50---+150
-50---+175
W
Thermal resistance junction to ambient air
/W
Junction temperature
Storage temperature range
Thermal resistance junction to lead
NOTES:
(1) Valid prov ided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 10mm f rom case .
8
K/W
www.galaxycn.com
Document Number 0284009
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