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EBE10UE8ACFA

产品描述1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
文件大小208KB,共29页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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EBE10UE8ACFA概述

1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

EBE10UE8ACFA相似产品对比

EBE10UE8ACFA EBE10UE8ACFA-8E-E EBE10UE8ACFA-6E-E
描述 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM 1GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
是否Rohs认证 - 符合 符合
厂商名称 - ELPIDA ELPIDA
零件包装代码 - DIMM DIMM
包装说明 - DIMM, DIMM240,40 DIMM, DIMM240,40
针数 - 240 240
Reach Compliance Code - unknow unknow
ECCN代码 - EAR99 EAR99
访问模式 - SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间 - 0.4 ns 0.45 ns
其他特性 - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK) - 400 MHz 333 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON
JESD-30 代码 - R-XDMA-N240 R-XDMA-N240
内存密度 - 8589934592 bi 8589934592 bi
内存集成电路类型 - SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 - 64 64
功能数量 - 1 1
端口数量 - 1 1
端子数量 - 240 240
字数 - 134217728 words 134217728 words
字数代码 - 128000000 128000000
工作模式 - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 - 85 °C 85 °C
组织 - 128MX64 128MX64
输出特性 - 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 - UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装代码 - DIMM DIMM
封装等效代码 - DIMM240,40 DIMM240,40
封装形状 - RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 - MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 - 1.8 V 1.8 V
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
刷新周期 - 8192 8192
自我刷新 - YES YES
最大压摆率 - 2.32 mA 2.24 mA
最大供电电压 (Vsup) - 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) - 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) - 1.8 V 1.8 V
表面贴装 - NO NO
技术 - CMOS CMOS
温度等级 - OTHER OTHER
端子形式 - NO LEAD NO LEAD
端子节距 - 1 mm 1 mm
端子位置 - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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