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EBE21UE8AEFB-8G-F

产品描述2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
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文件大小219KB,共30页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
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EBE21UE8AEFB-8G-F概述

2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

EBE21UE8AEFB-8G-F规格参数

参数名称属性值
厂商名称ELPIDA
零件包装代码DIMM
包装说明DIMM,
针数240
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间0.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX
JESD-30 代码R-XDMA-N240
长度133.35 mm
内存密度2147483648 bi
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量240
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX8
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
座面最大高度30 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距1 mm
端子位置DUAL
宽度4 mm

EBE21UE8AEFB-8G-F相似产品对比

EBE21UE8AEFB-8G-F EBE21UE8AEFB-6E-E EBE21UE8AEFB
描述 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM 2GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM
厂商名称 ELPIDA ELPIDA -
零件包装代码 DIMM DIMM -
包装说明 DIMM, DIMM, -
针数 240 240 -
Reach Compliance Code unknow unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST -
最长访问时间 0.4 ns 0.45 ns -
其他特性 AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; SEATED HGT-NOM; WD-MAX -
JESD-30 代码 R-XDMA-N240 R-XDMA-N240 -
长度 133.35 mm 133.35 mm -
内存密度 2147483648 bi 2147483648 bi -
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE -
内存宽度 8 8 -
功能数量 1 1 -
端口数量 1 1 -
端子数量 240 240 -
字数 268435456 words 268435456 words -
字数代码 256000000 256000000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS -
最高工作温度 85 °C 85 °C -
组织 256MX8 256MX8 -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装代码 DIMM DIMM -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY -
认证状态 Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 30 mm 30 mm -
自我刷新 YES YES -
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V -
表面贴装 NO NO -
技术 CMOS CMOS -
温度等级 OTHER OTHER -
端子形式 NO LEAD NO LEAD -
端子节距 1 mm 1 mm -
端子位置 DUAL DUAL -
宽度 4 mm 4 mm -

 
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