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KTA1666

产品描述General Purpose PNP Bipolar Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 50V; IC (A): 2A; HFE Min: 70; HFE Max: 240; VCE (V): 2V; IC (mA): 500mA; VCE(SAT) (V): 0.5V; IC (mA)1: 1000mA; IB (mA): 50mA; FT Min (MHz): 120+ MHz; PTM Max (W): 0.5W; Package: SOT-89; package_code: SOT-89; mfr_package_code: SOT-89
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小280KB,共4页
制造商Galaxy Microelectronics
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KTA1666概述

General Purpose PNP Bipolar Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 50V; IC (A): 2A; HFE Min: 70; HFE Max: 240; VCE (V): 2V; IC (mA): 500mA; VCE(SAT) (V): 0.5V; IC (mA)1: 1000mA; IB (mA): 50mA; FT Min (MHz): 120+ MHz; PTM Max (W): 0.5W; Package: SOT-89; package_code: SOT-89; mfr_package_code: SOT-89

KTA1666规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码SOT-89
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PSSO-F3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)120 MHz
Base Number Matches1
类别
极性PNP
V(BR)CEO (V) min.50
IC (A)2
hFE min70
hFE max240
Condition1_VCE (V)2
Condition1_IC (mA)500
VCE (sat) (V)0.5
Condition2_IC (mA)1000
Condition2_IB (mA)50
fT (MHz) min.120(typ)
PD (W) max.0.5
AEC QualifiedNo
最高工作温度150
最低工作温度-55
MSL等级3
是否无铅Yes
符合ReachYes
符合RoHSYes
ECCN代码EAR99
Package OutlinesSOT-89

KTA1666相似产品对比

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描述 General Purpose PNP Bipolar Transistor; Polarity: PNP; V(BR)CEO Min (V): 50V; IC (A): 2A; HFE Min: 70; HFE Max: 240; VCE (V): 2V; IC (mA): 500mA; VCE(SAT) (V): 0.5V; IC (mA)1: 1000mA; IB (mA): 50mA; FT Min (MHz): 120+ MHz; PTM Max (W): 0.5W; Package: SOT-89; package_code: SOT-89; mfr_package_code: SOT-89 Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor,
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V 50 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 70 120
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP
表面贴装 YES YES YES
端子形式 FLAT FLAT FLAT
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 120 MHz 120 MHz 120 MHz
Base Number Matches 1 1 1
最高工作温度 150 150 °C 150 °C
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