Current Regulator Diode,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | VPT Inc |
包装说明 | O-LALF-W2 |
Reach Compliance Code | compliant |
其他特性 | HIGH SOURCE IMPEDANCE |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | CURRENT REGULATOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-7 |
JESD-30 代码 | O-LALF-W2 |
最大限制电压 | 1.35 V |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -65 °C |
封装主体材料 | GLASS |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
最大功率耗散 | 0.5 W |
参考标准 | MIL-19500 |
标称调节电流 (Ireg) | 1 mA |
表面贴装 | NO |
技术 | FIELD EFFECT |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |
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