电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

BY399

产品描述Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 800V; IAV MAX (A): 3A; VFM MAX (V): 1.25V; @ IF (A): 3A; IFSM MAX (A): 100A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 800V; TRR MAX (NS): 250ns; Package: DO-27
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小321KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

BY399在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
BY399 - - 点击查看 点击购买

BY399概述

Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 800V; IAV MAX (A): 3A; VFM MAX (V): 1.25V; @ IF (A): 3A; IFSM MAX (A): 100A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 800V; TRR MAX (NS): 250ns; Package: DO-27

BY399规格参数

参数名称属性值
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码DO-27
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
应用FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.25 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.25 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
BL
FEATURES
Low cost
GALAXY ELECTRICAL
BY396(Z)---BY399S(Z)
VOLTAGE RANGE: 100--- 1000 V
CURRENT: 3.0 A
FAST RECOVERY RECTIFIERS
Diffused junction
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
DO - 27
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO-27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight:0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BY
396
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
BY
397
200
140
200
BY
398
400
280
400
3.0
BY
399
800
560
800
BY
399S
1000
700
1000
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
100
70
100
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0 A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
100.0
A
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
150
1.25
10.0
200.0
250
V
A
ns
pF
/W
Maximum reverse recovery time (Note1)
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note2)
(Note3)
32
22
- 55---- +125
- 55---- +150
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE:1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 1761123
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BY399相似产品对比

BY399 BY399S BY398
描述 Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 800V; IAV MAX (A): 3A; VFM MAX (V): 1.25V; @ IF (A): 3A; IFSM MAX (A): 100A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 800V; TRR MAX (NS): 250ns; Package: DO-27 Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 1000V; IAV MAX (A): 3A; VFM MAX (V): 1.25V; @ IF (A): 3A; IFSM MAX (A): 100A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 1000V; TRR MAX (NS): 250ns; Package: DO-27 Fast Recovery Rectifier, VRRM MAX (V): 400V; IAV MAX (A): 3A; VFM MAX (V): 1.25V; @ IF (A): 3A; IFSM MAX (A): 100A; IR MAX (UA): 10uA; @VR (V): 400V; TRR MAX (NS): 150ns; Package: DO-27
零件包装代码 DO-27 DO-27 DO-27
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY FAST RECOVERY
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.25 V 1.25 V 1.25 V
JEDEC-95代码 DO-27 DO-27 DO-27
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 800 V 1000 V 400 V
最大反向电流 10 µA 10 µA 10 µA
最大反向恢复时间 0.25 µs 0.25 µs 0.15 µs
表面贴装 NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
Base Number Matches 1 1 1
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics -
包装说明 O-PALF-W2 - O-PALF-W2

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2913  1874  2262  1051  2513  44  18  28  29  8 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved