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BR8005

产品描述Bridge Rectifier Diode, 8A, 50V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小68KB,共2页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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BR8005概述

Bridge Rectifier Diode, 8A, 50V V(RRM),

BR8005规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Codeunknown
配置BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.1 V
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量4
最高工作温度125 °C
最大输出电流8 A
最大重复峰值反向电压50 V
表面贴装NO
Base Number Matches1

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
BR8005 - - - BR810
VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V
CURRENT: 8.0 A
SILICON BRIDGE RECTIFIERS
Rating to 1000V PRV
Surge overload rating to 125 Amperes peak
Ideal for printed circuit board
Reliable low cost construction utilizing molded
plastic technique results in inexpensive product
Lead solderable per MIL-STD-202 method 208
Mounting: thru hole for # 6 screw
mounting
BR8
.520(13.21)
.480(12.19)
.150
.140
.770(19.558)
.730(18.542)
.042(1.07)
.038(0.97)
.750(19.1)MIN
.275± .025
(6.99± .64)
Polarity shown on side of case;
Positive lead by beveled corner.
inch(mm)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
BR8005 BR801 BR802 BR804 BR806 BR808 BR810 UNITS
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard
output current
@T
A
=50
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
100
70
100
200
140
200
400
280
400
8.0
600
420
600
800
560
800
1000
700
1000
V
V
V
A
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forw ard voltage
at
4.0
A
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
@T
A
=25
@T
A
=100
I
FSM
125.0
A
V
F
I
R
T
J
T
STG
1.1
10.0
1.0
- 55 ---- + 125
- 55 ---- + 150
V
μ
A
mA
Operating junction temperature range
Storage temperature range
www.galaxycn.com
Document Number 0287036
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

BR8005相似产品对比

BR8005 BR802
描述 Bridge Rectifier Diode, 8A, 50V V(RRM), Bridge Rectifier Diode, 8A, 200V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 Galaxy Microelectronics Galaxy Microelectronics
Reach Compliance Code unknown unknown
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.1 V 1.1 V
最大非重复峰值正向电流 125 A 125 A
元件数量 4 4
最高工作温度 125 °C 125 °C
最大输出电流 8 A 8 A
最大重复峰值反向电压 50 V 200 V
表面贴装 NO NO
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