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GD74LS612J

产品描述Memory Circuit, 16X12, TTL, CDIP40,
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文件大小136KB,共4页
制造商Goldstar Electron Co Ltd
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GD74LS612J概述

Memory Circuit, 16X12, TTL, CDIP40,

GD74LS612J规格参数

参数名称属性值
厂商名称Goldstar Electron Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码R-CDIP-T40
内存密度192 bit
内存集成电路类型MEMORY CIRCUIT
内存宽度12
功能数量1
端子数量40
字数16 words
字数代码16
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16X12
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)5.25 V
最小供电电压 (Vsup)4.75 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术TTL
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置DUAL
Base Number Matches1

GD74LS612J相似产品对比

GD74LS612J GD74LS612 GD54LS612 GD54LS612J
描述 Memory Circuit, 16X12, TTL, CDIP40, Memory Circuit, 16X12, TTL, PDIP40, Memory Circuit, 16X12, TTL, PDIP40, Memory Circuit, 16X12, TTL, CDIP40,
厂商名称 Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd Goldstar Electron Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
JESD-30 代码 R-CDIP-T40 R-PDIP-T40 R-PDIP-T40 R-CDIP-T40
内存密度 192 bit 192 bit 192 bit 192 bit
内存集成电路类型 MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT MEMORY CIRCUIT
内存宽度 12 12 12 12
功能数量 1 1 1 1
端子数量 40 40 40 40
字数 16 words 16 words 16 words 16 words
字数代码 16 16 16 16
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C
组织 16X12 16X12 16X12 16X12
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 5.25 V 5.25 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.75 V 4.75 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 TTL TTL TTL TTL
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches 1 1 1 1
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