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LDTA123YLT1G

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小194KB,共3页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准
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LDTA123YLT1G概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon,

LDTA123YLT1G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)33
元件数量1
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.15 W
表面贴装YES
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Bias Resistor Transistor
PNP Silicon Surface Mount Transistor
with Monolithic Bias Resistor Network
Applications
Inverter, Interface, Driver
3
LDTA123YLT1G
Features
1) Built-in bias resistors enable the configuration of an
inverter circuit without connecting external input
resistors (see equivalent circuit).
2) The bias resistors consist of thin-film resistors with
complete isolation to allow positive biasing of the input.
They also have the advantage of almost completely
eliminating parasitic effects.
3) Only the on/off conditions need to be set for operation,
making the device design easy.
We declare that the material of product compliance with
RoHS requirements.
1
2
SOT–23
Absolute maximum ratings
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
CC
V
IN
I
O
I
C(Max.)
P
D
Tj
Tstg
Limits
LDTA123YLT1G
−50
−12
to
+5
−100
−100
150
150
−55
to
+150
Unit
V
V
mA
mW
°C
°C
1
BASE
R1
R2
3
COLLECTOR
2
EMITTER
Supply voltage
Input voltage
Output current
Power dissipation
Junction temperature
Storage temperature
DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES
Device
LDTA123YLT1G
LDTA123YLT3G
Marking
P8
P8
R1 (K)
2.2
2.2
R2 (K)
10
10
Shipping
3000/Tape & Reel
10000/Tape & Reel
Electrical characteristics
(Ta=25°C)
Parameter
Symbol
V
I(off)
V
I(on)
V
O(on)
I
I
I
O(off)
G
I
R
1
R
2
/R
1
f
T
Min.
−3
33
1.54
3.6
Typ.
−0.1
2.2
4.5
250
Max.
−0.3
−0.3
−3.8
−0.5
2.86
5.5
Unit
V
V
mA
µA
kΩ
MHz
Conditions
V
CC
=−5V,
I
O
=−100µA
V
O
=−0.3V,
I
O
=−20mA
I
O
/I
I
=−10mA/−0.5mA
V
I
=−5V
V
CC
=−50V,
V
I
=0V
V
O
=−5V,
I
O
=−10mA
V
CE
=−10V,
I
E
=5mA,
f=100MHz
Input voltage
Output voltage
Input current
Output current
DC current gain
Input resistance
Resistance ratio
Transition frequency
Characteristics of built-in transistor
1/3

LDTA123YLT1G相似产品对比

LDTA123YLT1G LDTA123YLT3G
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon,
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 LRC LRC
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
最小直流电流增益 (hFE) 33 33
元件数量 1 1
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 0.15 W 0.15 W
表面贴装 YES YES
晶体管元件材料 SILICON SILICON
Base Number Matches 1 1
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