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2N6731STOB

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小27KB,共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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2N6731STOB概述

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

2N6731STOB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)1 A
基于收集器的最大容量20 pF
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz
VCEsat-Max0.35 V
Base Number Matches1

2N6731STOB相似产品对比

2N6731STOB 2N6731STZ 2N6731STOA
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-W3 IN-LINE, R-PSIP-W3 IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 1 A 1 A 1 A
基于收集器的最大容量 20 pF 20 pF 20 pF
集电极-发射极最大电压 100 V 100 V 100 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 100 100
JESD-30 代码 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 NPN NPN NPN
功耗环境最大值 2 W 2 W 2 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 50 MHz 50 MHz
VCEsat-Max 0.35 V 0.35 V 0.35 V
Base Number Matches 1 1 1

 
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