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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> FXT751STOA
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FXT751STOA

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小28KB，共1页
制造商Zetex Semiconductors
官网地址http://www.zetex.com/
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FXT751STOA概述

Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3

FXT751STOA规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Zetex Semiconductors
包装说明IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压60 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-30 代码R-PSIP-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
VCEsat-Max0.5 V
Base Number Matches1

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PNP SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 1 – FEB 94
FEATURES
* 60 Volt V
CEO
* 2 Amp continuous current
* P
tot
= 1 Watt
APPLICATIONS
* Lamp, relay or solenoid drivers
* Audio circuits
* Replacement of TO126 and TO220 parts
REFER TO ZTX751 FOR GRAPHS
FXT751
B
C
E
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Peak Pulse Current
Continuous Collector Current
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
CM
I
C
P
tot
T
j
:T
stg
-80
-60
-5
-6
-2
1
E-Line
TO92 Compatible
VALUE
UNIT
V
V
V
A
A
W
°C
-55 to +200
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
Collector-Base
Breakdown Voltage
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
Emitter-Base
Breakdown Voltage
Collector Cut-Off
Current
Emitter Cut-Off Current
Collector-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter
Saturation Voltage
Base-Emitter Turn-On
Voltage
Static Forward Current
Transfer Ratio
Transition
Frequency
Output Capacitance
SYMBOL
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE(sat)
V
BE(sat)
V
BE(on)
h
FE
70
100
80
40
100
-0.15
-0.28
-0.90
-0.8
200
200
170
150
140
30
3-57
MIN.
-80
-60
-5
-0.1
-10
-0.1
-0.3
-0.5
-1.25
-1.0
300
MHz
pF
TYP.
MAX.
UNIT
V
V
V
µ
A
µ
A
µ
A
CONDITIONS.
I
C
=-100
µ
A, I
E
=0
IC=-10mA, I
B
=0*
I
E
=-100
µ
A, I
C
=0
V
CB
=-60V, I
E
=0
V
CB
=-60V,
T
amb
=100°C
V
EB
=-4V, I
C
=0
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
I
C
=-2A, I
B
=-200mA*
I
C
=-1A, I
B
=-100mA*
IC=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-50mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-500mA, V
CE
=-2V*
I
C
=-1A, V
CE
=-2V*
I
C
=-2A, V
CE
=-2V*
I
C
=-100mA, V
CE
=-5V
f=100MHz
V
CB
=-10V, f=1MHz
V
V
V
V
f
T
C
obo
*Measured under pulsed conditions. Pulse width=300
µ
s. Duty cycle
≤
2%

FXT751STOA相似产品对比

FXT751STOA FXT751STOB FXT751STZ
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92 COMPATIBLE, E-LINE PACKAGE-3
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors Zetex Semiconductors
包装说明 IN-LINE, R-PSIP-W3 IN-LINE, R-PSIP-W3 IN-LINE, R-PSIP-W3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 2 A 2 A 2 A
集电极-发射极最大电压 60 V 60 V 60 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 40 40 40
JESD-30 代码 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3 R-PSIP-W3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
最高工作温度 200 °C 200 °C 200 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
极性/信道类型 PNP PNP PNP
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 100 MHz 100 MHz 100 MHz
VCEsat-Max 0.5 V 0.5 V 0.5 V
Base Number Matches 1 1 1

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