Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | TT Electronics plc |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.8 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
| JESD-30 代码 | R-CDSO-N3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 300 ns |
| 最大开启时间（吨） | 35 ns |
| Base Number Matches | 1 |
| 2N2222AUB | |
|---|---|
| 描述 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | TT Electronics plc |
| 包装说明 | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Samacsys Description | Bipolar Transistors - BJT NPN G.P. TRANSISTOR |
| 最大集电极电流 (IC) | 0.8 A |
| 集电极-发射极最大电压 | 50 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 100 |
| JESD-30 代码 | R-CDSO-N3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs) | 0.5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 250 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 300 ns |
| 最大开启时间（吨） | 35 ns |
| Base Number Matches | 1 |
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