电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

JANTXV1N821UR-1

产品描述Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小210KB,共2页
制造商Cobham PLC
下载文档 详细参数 全文预览

JANTXV1N821UR-1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
JANTXV1N821UR-1 - - 点击查看 点击购买

JANTXV1N821UR-1概述

Zener Diode, 6.2V V(Z), 4.84%, 0.5W, Silicon, DO-213AA, HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2

JANTXV1N821UR-1规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS, LL34, MELF-2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JEDEC-95代码DO-213AA
JESD-30 代码O-LELF-R2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/159M
标称参考电压6.2 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子面层TIN LEAD
端子形式WRAP AROUND
端子位置END
电压温度Coeff-Max0.62 mV/°C
最大电压容差4.84%
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
Temperature Compensated
Zener Reference Diode Series
1N821UR thru 1N829AUR & 1N821UR-1 thru 1N829UR-1
Features
1N821UR-1, 1N823UR-1, 1N825UR-1, 1N827UR-1 and 1N829UR-1
and A versions available in JAN, JANTX, JANTXV, JANS
Metallurgically Bonded, Double Plug Construction
Maximum Ratings
Operating & Storage Temperature: -65°C to +175°C
DC Power Dissipation: 500mW @ +50°C
Power Derating: 4 mW / °C above +50°C
REVERSE LEAKAGE CURRENT
lR = 2 μA @ 25°C & VR = 3 Vdc
Electrical Specifications @ +25 ºC (Unless Otherwise Specified)
JEDEC
TYPE
Number
(Note1)
1N821UR
1N821AUR
1N823UR
1N823AUR
1N825UR
1N825AUR
1N826UR
1N827UR
1N827AUR
1N828UR
1N829UR
1N829AUR
Normal
Zener
Voltage
Vz @ IZT
Volts
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
6.2—6.9
5.9—6.5
5.9—6.5
Zener
Test
Current
IZT
mA
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
7.5
Maximum Zener
Impedance
(Note 1)
ZZT
Ohms
15
10
15
10
15
10
15
15
10
15
15
10
Voltage Temperature
Stability
3V
ZT
-55° to +100°C
(Note 2)
mV
96
96
48
48
19
19
20
9
9
10
5
5
%/°C
0.01
0.01
0.005
0.005
0.002
0.002
0.002
0.001
0.001
0.001
0.0005
0.0005
Effective
Temperature
Coefficient
NOTE 1:
NOTE 2:
Zener impedance is derived by superimposing on lZT A 60Hz rms a.c. current equal to 10% of lZT.
The maximum allowable change observed over the entire temperature range i.e., the diode voltage will not exceed the
specified mV at any discrete temperature between the established limits, per JEDEC standard No. 5.
Outline Drawing
D
LEADED DESIGN DATA
CASE: DO – 213AA, Hermetically sealed glass case.
(MELF, SOD-80, LL34)
G
F
G1
LEAD FINISH: Tin / Lead
POLARITY: Cathode end is banded.
S
MOUNTING POSITION: Any.
MOUNTING SURFACE SELECTION: The Axial Coefficient of Expansion
(COE) Of this Device is Approximately +6 PPM/°C. The COE of the
Mounting Surface System Should Be Selected To Provide A Suitable
Match With This Device.
Revision Date: 2/5/2013
1
一条疑惑的ARM 汇编语句
这条ARM 汇编语句什么意思? mov r4, %0 上下文如下: __asm__( /* Load page table pointer */ "mov r4, %0" "mcr p15, 0, r4, c2, c0, 0" /* load page table pointer */ ......
wx8028 ARM技术
一个通用现金缴费系统实施方案
缴费通是东莞市邮政信息技术分局以收费企业为主要服务对象而开发的收费管理通用型软件,是一个通用现金缴费系统的解决方案,以满足中国国民的现金缴费习惯。以现时的现金缴费系统比较,其主要特 ......
liudong2008lldd 无线连接
只需填采样率
突然发现NI的硬件现在板上有内部时钟,只需填个采样率,源都不需要填了。...
安_然 测试/测量
已经参加完TI杯比赛的各位同仁,可否分享下“控制类”题目的经验
本帖最后由 paulhyde 于 2014-9-15 03:58 编辑 如题,想了解下各位高手对今年的控制题是怎么看的,有什么经验值得分享么?:) ...
wfarlen 电子竞赛
关于智能家居控制系统的设计
我是一个学生,现在要做智能家居控制系统的毕业设计,是基于arm9 wince 的,不知道有没有人做,希望能教一下小弟!~~~...
cndl074 DIY/开源硬件专区
GSM手机射频系统分析与研究(二)
传统的二次变频简介与分析 传统GSM蜂窝手机是一个工作在双工状态下的收发信机。一部移动电话总的包括射频部分、基带部分;其中射频部分包括接受和发射部分,基带部分包括数字逻辑,电源管理和显 ......
JasonYoo 无线连接

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2037  100  1502  1862  244  43  36  39  16  57 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved