ACT-RS128K32N-035P1Q,ACT-RS128K32N-035P1Q pdf中文资料,ACT-RS128K32N-035P1Q引脚图,ACT-RS128K32N-035P1Q电路-Datasheet-电子工程世界

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ACT-RS128K32N-035P1Q: 产品描述Cache SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, 0.245 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, PGA-66; 产品类别存储存储; 文件大小463KB，共8页; 制造商Cobham Semiconductor Solutions

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ACT-RS128K32N-035P1Q概述

Cache SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, 0.245 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, PGA-66

ACT-RS128K32N-035P1Q规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	Cobham Semiconductor Solutions
零件包装代码	PGA
包装说明	PGA,
针数	66
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns
其他特性	USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16
JESD-30 代码	S-CPGA-P66
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	66
字数	524288 words
字数代码	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
组织	512KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	6.223 mm
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子形式	PIN/PEG
端子节距	2.54 mm
端子位置	PERPENDICULAR
Base Number Matches	1

ACT-RS128K32N-035P1Q相似产品对比

	ACT-RS128K32N-035P1Q	ACT-RS128K32N-045P1Q	ACT-RS128K32N-035F1Q	ACT-RS128K32N-045F1Q	ACT-RS128K32N-035F2Q	ACT-RS128K32N-045F2Q
描述	Cache SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, 0.245 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, PGA-66	Cache SRAM Module, 512KX8, 45ns, CMOS, CPGA66, 1.385 X 1.385 INCH, 0.245 INCH HEIGHT, HERMETIC SEALED, PGA-66	Cache SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CQMA68	Cache SRAM Module, 512KX8, 45ns, CMOS, CQMA68	Cache SRAM Module, 512KX8, 35ns, CMOS, CQMA68	Cache SRAM Module, 512KX8, 45ns, CMOS, CQMA68
厂商名称	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions	Cobham Semiconductor Solutions
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C
最长访问时间	35 ns	45 ns	35 ns	45 ns	35 ns	45 ns
其他特性	USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16	USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16	USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16	USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16	USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16	USER CONFIGURABLE AS 128K X 32 OR 256K X 16
JESD-30 代码	S-CPGA-P66	S-CPGA-P66	S-CQMA-F68	S-CQMA-F68	S-CQMA-G68	S-CQMA-G68
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	CACHE SRAM MODULE	CACHE SRAM MODULE	CACHE SRAM MODULE	CACHE SRAM MODULE	CACHE SRAM MODULE	CACHE SRAM MODULE
内存宽度	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	66	66	68	68	68	68
字数	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words	524288 words
字数代码	512000	512000	512000	512000	512000	512000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C	-55 °C
组织	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8	512KX8
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY	MILITARY
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	FLAT	FLAT	GULL WING	GULL WING
端子位置	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD

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