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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUX51X
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BUX51X

产品描述Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小12KB，共1页
制造商TT Electronics plc
官网地址http://www.ttelectronics.com/
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BUX51X概述

Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN

BUX51X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称TT Electronics plc
包装说明HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3.5 A
集电极-发射极最大电压200 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
JEDEC-95代码TO-205AD
JESD-30 代码O-MBCY-W3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)8 MHz
Base Number Matches1

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BUX51X
Dimensions in mm (inches).
8.51 (0.34)
9.40 (0.37)
7.75 (0.305)
8.51 (0.335)
Bipolar NPN Device in a
Hermetically sealed TO39
Metal Package.
Bipolar NPN Device.
6.10 (0.240)
6.60 (0.260)
12.70
(0.500)
min.
0.89
max.
(0.035)
0.41 (0.016)
0.53 (0.021)
dia.
V
CEO
= 200V
5.08 (0.200)
typ.
I
C
= 3.5A
2.54
(0.100)
2
1
0.74 (0.029)
1.14 (0.045)
0.71 (0.028)
0.86 (0.034)
3
All Semelab hermetically sealed products
can be processed in accordance with the
requirements of BS, CECC and JAN,
JANTX, JANTXV and JANS specifications
45°
TO39 (TO205AD)
PINOUTS
1 – Emitter
2 – Base
3 – Collector
Parameter
V
CEO
*
I
C(CONT)
h
FE
f
t
P
D
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
200
3.5
Units
V
A
-
@ 4/1 (V
CE
/ I
C
)
30
8M
10
Hz
W
* Maximum Working Voltage
This is a shortform datasheet. For a full datasheet please contact
sales@semelab.co.uk.
Semelab Plc reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice. Information furnished by Semelab is believed
to be both accurate and reliable at the time of going to press. However Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use.
Semelab plc.
Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.
E-mail:
sales@semelab.co.uk
Website:
http://www.semelab.co.uk
Generated
1-Aug-02

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BUX51X BUX51XR1 BUX51X.MODR1 BUX51X.MOD
描述 Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN Power Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD, Metal, 3 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 符合 符合 不符合
厂商名称 TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc TT Electronics plc
包装说明 HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN HERMETIC SEALED, METAL, TO-39, 3 PIN
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 3.5 A 3.5 A 3.5 A 3.5 A
集电极-发射极最大电压 200 V 200 V 200 V 200 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 30 30 30 30
JEDEC-95代码 TO-205AD TO-205AD TO-205AD TO-205AD
JESD-30 代码 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3 O-MBCY-W3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
封装主体材料 METAL METAL METAL METAL
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 NPN NPN NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 8 MHz 8 MHz 8 MHz 8 MHz
Base Number Matches 1 1 1 1

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