BUV62A: 产品描述Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小191KB，共3页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/

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BUV62A概述

Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN

BUV62A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	40 A
集电极-发射极最大电压	300 V
配置	SINGLE
JEDEC-95代码	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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FAST SWITCHING NPN

POWER TRANSISTOR

BUV62A

•

Fast Switching Times

Low Switching Losses

Low Saturation Voltage

Hermetic TO3 Metal package.

Ideally suited for Motor Control, Switching

and Linear Applications

High Reliability Screening Options Available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

(TC = 25°C unless otherwise stated)

VCEV

VCEO

VEBO

ICM

IBM

Tstg

VBE = -1.5V

Collector – Emitter Voltage

Emitter – Base Voltage

Continuous Collector Current

Peak Collector Current

Base Current

Base Peak Current

TC = 25°C

Total Power Dissipation at

Derate Above 25°C

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

400V

300V

40A

60A

12A

250W

1.43W/°C

-55 to +200°C

-65 to +200°C

THERMAL PROPERTIES

Symbols

θJC

Parameters

Thermal Resistance, Junction To Case

Min.

Typ.

Max.

0.70

Units

°C/W

Semelab Ltd reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice.

Information furnished by Semelab is believed to be both accurate and reliable at the time of going to press. However

Semelab assumes no responsibility for any errors or omissions discovered in its use. Semelab encourages customers to

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Email:

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Website:

http://www.semelab-tt.com

Document Number 8320

Issue 1

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BUV62A相似产品对比

	BUV62A	BUV62AR1	BUV62A.MOD
描述	Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin, HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
是否Rohs认证	不符合	符合	不符合
厂商名称	TT Electronics plc	TT Electronics plc	TT Electronics plc
包装说明	FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN	HERMETIC SEALED, METAL, TO-3, 2 PIN
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	40 A	40 A	40 A
集电极-发射极最大电压	300 V	300 V	300 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE
JEDEC-95代码	TO-204AE	TO-204AE	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
最高工作温度	200 °C	200 °C	200 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1

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