2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | SEMELAB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MDFM-F5 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE |
配置 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
最小漏源击穿电压 | 70 V |
最大漏极电流 (ID) | 30 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-MDFM-F5 |
JESD-609代码 | e4 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子面层 | GOLD |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
DMD1028 | DMD1028-A | |
---|---|---|
描述 | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 不符合 |
厂商名称 | SEMELAB | SEMELAB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MDFM-F5 | FLANGE MOUNT, R-MDFM-F5 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
外壳连接 | SOURCE | SOURCE |
配置 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS |
最小漏源击穿电压 | 70 V | 70 V |
最大漏极电流 (ID) | 30 A | 30 A |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-MDFM-F5 | R-MDFM-F5 |
元件数量 | 2 | 2 |
端子数量 | 5 | 5 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 200 °C | 200 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
表面贴装 | YES | YES |
端子形式 | FLAT | FLAT |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | AMPLIFIER | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
Base Number Matches | 1 | 1 |
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