电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

5962H9655201VEC

产品描述Multiplexer, AC Series, 4-Func, 2 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16
产品类别逻辑    逻辑   
文件大小148KB,共17页
制造商Cobham PLC
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

5962H9655201VEC概述

Multiplexer, AC Series, 4-Func, 2 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16

5962H9655201VEC规格参数

参数名称属性值
厂商名称Cobham PLC
包装说明SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A001.A.1.A
系列AC
JESD-30 代码R-XDIP-T16
JESD-609代码e4
长度19.05 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型MULTIPLEXER
最大I(ol)0.008 A
功能数量4
输入次数2
输出次数1
端子数量16
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
输出极性TRUE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP16,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup15 ns
传播延迟(tpd)16 ns
认证状态Qualified
筛选级别38535V;38534K;883S
座面最大高度5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层GOLD
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
总剂量1M Rad(Si) V
宽度7.62 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
REVISIONS
LTR
A
B
C
DESCRIPTION
Changes in accordance with NOR 5962-R092-97.
Incorporate Revision A. Update boilerplate to MIL-PRF-38535 requirements. –
LTG
Correct the title to accurately describe the device function. Update boilerplate
to the latest MIL-PRF-38535 requirements. - jak
DATE (YR-MO-DA)
96-11-18
01-09-14
07-09-13
APPROVED
Monica L. Poelking
Thomas M. Hess
Thomas M. Hess
REV
SHEET
REV
SHEET
REV STATUS
OF SHEETS
PMIC N/A
C
15
C
16
REV
SHEET
PREPARED BY
Thanh V. Nguyen
C
1
C
2
C
3
C
4
C
5
C
6
C
7
C
8
C
9
C
10
C
11
C
12
C
13
C
14
STANDARD
MICROCIRCUIT
DRAWING
THIS DRAWING IS AVAILABLE
FOR USE BY ALL
DEPARTMENTS
AND AGENCIES OF THE
DEPARTMENT OF DEFENSE
AMSC N/A
CHECKED BY
Thanh V. Nguyen
DEFENSE SUPPLY CENTER COLUMBUS
COLUMBUS, OHIO 43218-3990
http://www.dscc.dla.mil
APPROVED BY
Monica L. Poelking
DRAWING APPROVAL DATE
96-07-02
REVISION LEVEL
MICROCIRCUIT, DIGITAL, ADVANCED CMOS,
RADIATION HARDENED, QUADRUPLE 2-LINE TO
1-LINE DATA SELECTOR/MULTIPLEXER,
MONOLITHIC SILICON
SIZE
A
SHEET
CAGE CODE
C
67268
1 OF
16
5962-96552
DSCC FORM 2233
APR 97
5962-E571-07

5962H9655201VEC相似产品对比

5962H9655201VEC 5962H9655201QEC 5962H9655201QEA 5962H9655201VEA
描述 Multiplexer, AC Series, 4-Func, 2 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 Multiplexer, AC Series, 4-Func, 2 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 Multiplexer, AC Series, 4-Func, 2 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 Multiplexer, AC Series, 4-Func, 2 Line Input, 1 Line Output, True Output, CMOS, CDIP16, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16
包装说明 SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 DIP, DIP16,.3 SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16 SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-16
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A 3A001.A.1.A
系列 AC AC AC AC
JESD-30 代码 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16 R-XDIP-T16
JESD-609代码 e4 e4 e0 e0
长度 19.05 mm 19.05 mm 19.05 mm 19.05 mm
负载电容(CL) 50 pF 50 pF 50 pF 50 pF
逻辑集成电路类型 MULTIPLEXER MULTIPLEXER MULTIPLEXER MULTIPLEXER
最大I(ol) 0.008 A 0.008 A 0.008 A 0.008 A
功能数量 4 4 4 4
输入次数 2 2 2 2
输出次数 1 1 1 1
端子数量 16 16 16 16
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
输出极性 TRUE TRUE TRUE TRUE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3 DIP16,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
Prop。Delay @ Nom-Sup 15 ns 15 ns 15 ns 15 ns
传播延迟(tpd) 16 ns 16 ns 16 ns 16 ns
认证状态 Qualified Qualified Qualified Qualified
筛选级别 38535V;38534K;883S 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535V;38534K;883S
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 GOLD GOLD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
总剂量 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V 1M Rad(Si) V
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
Base Number Matches 1 1 1 1
厂商名称 Cobham PLC - Cobham PLC Cobham PLC

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 774  502  1766  742  1768  16  11  36  15  14 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved