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EDE1104ACBG-6E-E

产品描述1G bits DDR2 SDRAM
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文件大小734KB,共82页
制造商ELPIDA
官网地址http://www.elpida.com/en
标准
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EDE1104ACBG-6E-E概述

1G bits DDR2 SDRAM

EDE1104ACBG-6E-E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ELPIDA
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA, BGA60,9X11,32
针数60
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间0.45 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)333 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
长度11.5 mm
内存密度1073741824 bi
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数268435456 words
字数代码256000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX4
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大压摆率0.275 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度11 mm

EDE1104ACBG-6E-E相似产品对比

EDE1104ACBG-6E-E EDE1116ACBG-8E-E EDE1116ACBG EDE1108ACBG-6E-E EDE1108ACBG-8E-E EDE1108ACBG-5C-E EDE1108ACBG EDE1104ACBG-8E-E EDE1104ACBG
描述 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM 1G bits DDR2 SDRAM
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合 符合 符合 - 符合 -
厂商名称 ELPIDA ELPIDA - ELPIDA ELPIDA ELPIDA - ELPIDA -
零件包装代码 BGA BGA - BGA BGA BGA - BGA -
包装说明 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA84,9X15,32 - TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 TFBGA, BGA60,9X11,32 - TFBGA, BGA60,9X11,32 -
针数 60 84 - 60 60 60 - 60 -
Reach Compliance Code unknow unknow - unknow unknow unknow - unknow -
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 - EAR99 -
访问模式 MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST - MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST MULTI BANK PAGE BURST - MULTI BANK PAGE BURST -
最长访问时间 0.45 ns 0.4 ns - 0.45 ns 0.4 ns 0.5 ns - 0.4 ns -
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH - AUTO/SELF REFRESH -
最大时钟频率 (fCLK) 333 MHz 400 MHz - 333 MHz 400 MHz 266 MHz - 400 MHz -
I/O 类型 COMMON COMMON - COMMON COMMON COMMON - COMMON -
交错的突发长度 4,8 4,8 - 4,8 4,8 4,8 - 4,8 -
JESD-30 代码 R-PBGA-B60 R-PBGA-B84 - R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 R-PBGA-B60 - R-PBGA-B60 -
长度 11.5 mm 13 mm - 11.5 mm 11.5 mm 11.5 mm - 11.5 mm -
内存密度 1073741824 bi 1073741824 bi - 1073741824 bi 1073741824 bi 1073741824 bi - 1073741824 bi -
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM - DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM - DDR DRAM -
内存宽度 4 16 - 8 8 8 - 4 -
功能数量 1 1 - 1 1 1 - 1 -
端口数量 1 1 - 1 1 1 - 1 -
端子数量 60 84 - 60 60 60 - 60 -
字数 268435456 words 67108864 words - 134217728 words 134217728 words 134217728 words - 268435456 words -
字数代码 256000000 64000000 - 128000000 128000000 128000000 - 256000000 -
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS - SYNCHRONOUS -
最高工作温度 85 °C 85 °C - 85 °C 85 °C 85 °C - 85 °C -
组织 256MX4 64MX16 - 128MX8 128MX8 128MX8 - 256MX4 -
输出特性 3-STATE 3-STATE - 3-STATE 3-STATE 3-STATE - 3-STATE -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装代码 TFBGA TFBGA - TFBGA TFBGA TFBGA - TFBGA -
封装等效代码 BGA60,9X11,32 BGA84,9X15,32 - BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 BGA60,9X11,32 - BGA60,9X11,32 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH - GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
电源 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified - Not Qualified -
刷新周期 8192 8192 - 8192 8192 8192 - 8192 -
座面最大高度 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm 1.2 mm 1.2 mm - 1.2 mm -
自我刷新 YES YES - YES YES YES - YES -
连续突发长度 4,8 4,8 - 4,8 4,8 4,8 - 4,8 -
最大压摆率 0.275 mA 0.35 mA - 0.275 mA 0.29 mA 0.26 mA - 0.29 mA -
最大供电电压 (Vsup) 1.9 V 1.9 V - 1.9 V 1.9 V 1.9 V - 1.9 V -
最小供电电压 (Vsup) 1.7 V 1.7 V - 1.7 V 1.7 V 1.7 V - 1.7 V -
标称供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V - 1.8 V 1.8 V 1.8 V - 1.8 V -
表面贴装 YES YES - YES YES YES - YES -
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS - CMOS -
温度等级 OTHER OTHER - OTHER OTHER OTHER - OTHER -
端子形式 BALL BALL - BALL BALL BALL - BALL -
端子节距 0.8 mm 0.8 mm - 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm - 0.8 mm -
端子位置 BOTTOM BOTTOM - BOTTOM BOTTOM BOTTOM - BOTTOM -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED -
宽度 11 mm 11 mm - 11 mm 11 mm 11 mm - 11 mm -
跪求各位大神来看下,官网上的例程为什么会编译错误呢,是不是软件问题呐?
如题,如图[img]C:\Users\Administrator\Desktop[/img]...
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