1G bits DDR2 SDRAM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | ELPIDA |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | TFBGA, BGA60,9X11,32 |
针数 | 60 |
Reach Compliance Code | unknow |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST |
最长访问时间 | 0.45 ns |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK) | 333 MHz |
I/O 类型 | COMMON |
交错的突发长度 | 4,8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 |
长度 | 11.5 mm |
内存密度 | 1073741824 bi |
内存集成电路类型 | DDR DRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 60 |
字数 | 268435456 words |
字数代码 | 256000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256MX4 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TFBGA |
封装等效代码 | BGA60,9X11,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 1.8 V |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 8192 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
自我刷新 | YES |
连续突发长度 | 4,8 |
最大压摆率 | 0.275 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | OTHER |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 11 mm |
EDE1104ACBG-6E-E | EDE1116ACBG-8E-E | EDE1116ACBG | EDE1108ACBG-6E-E | EDE1108ACBG-8E-E | EDE1108ACBG-5C-E | EDE1108ACBG | EDE1104ACBG-8E-E | EDE1104ACBG | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
描述 | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM | 1G bits DDR2 SDRAM |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 | - | 符合 | - |
厂商名称 | ELPIDA | ELPIDA | - | ELPIDA | ELPIDA | ELPIDA | - | ELPIDA | - |
零件包装代码 | BGA | BGA | - | BGA | BGA | BGA | - | BGA | - |
包装说明 | TFBGA, BGA60,9X11,32 | TFBGA, BGA84,9X15,32 | - | TFBGA, BGA60,9X11,32 | TFBGA, BGA60,9X11,32 | TFBGA, BGA60,9X11,32 | - | TFBGA, BGA60,9X11,32 | - |
针数 | 60 | 84 | - | 60 | 60 | 60 | - | 60 | - |
Reach Compliance Code | unknow | unknow | - | unknow | unknow | unknow | - | unknow | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - | EAR99 | - |
访问模式 | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | - | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | MULTI BANK PAGE BURST | - | MULTI BANK PAGE BURST | - |
最长访问时间 | 0.45 ns | 0.4 ns | - | 0.45 ns | 0.4 ns | 0.5 ns | - | 0.4 ns | - |
其他特性 | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | AUTO/SELF REFRESH | - | AUTO/SELF REFRESH | - |
最大时钟频率 (fCLK) | 333 MHz | 400 MHz | - | 333 MHz | 400 MHz | 266 MHz | - | 400 MHz | - |
I/O 类型 | COMMON | COMMON | - | COMMON | COMMON | COMMON | - | COMMON | - |
交错的突发长度 | 4,8 | 4,8 | - | 4,8 | 4,8 | 4,8 | - | 4,8 | - |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B84 | - | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 | R-PBGA-B60 | - | R-PBGA-B60 | - |
长度 | 11.5 mm | 13 mm | - | 11.5 mm | 11.5 mm | 11.5 mm | - | 11.5 mm | - |
内存密度 | 1073741824 bi | 1073741824 bi | - | 1073741824 bi | 1073741824 bi | 1073741824 bi | - | 1073741824 bi | - |
内存集成电路类型 | DDR DRAM | DDR DRAM | - | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM | - | DDR DRAM | - |
内存宽度 | 4 | 16 | - | 8 | 8 | 8 | - | 4 | - |
功能数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | - | 1 | - |
端口数量 | 1 | 1 | - | 1 | 1 | 1 | - | 1 | - |
端子数量 | 60 | 84 | - | 60 | 60 | 60 | - | 60 | - |
字数 | 268435456 words | 67108864 words | - | 134217728 words | 134217728 words | 134217728 words | - | 268435456 words | - |
字数代码 | 256000000 | 64000000 | - | 128000000 | 128000000 | 128000000 | - | 256000000 | - |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | - | SYNCHRONOUS | - |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C | 85 °C | - | 85 °C | - |
组织 | 256MX4 | 64MX16 | - | 128MX8 | 128MX8 | 128MX8 | - | 256MX4 | - |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | - | 3-STATE | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | - |
封装代码 | TFBGA | TFBGA | - | TFBGA | TFBGA | TFBGA | - | TFBGA | - |
封装等效代码 | BGA60,9X11,32 | BGA84,9X15,32 | - | BGA60,9X11,32 | BGA60,9X11,32 | BGA60,9X11,32 | - | BGA60,9X11,32 | - |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | - |
封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | - | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | - | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | - |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
电源 | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | - | Not Qualified | - |
刷新周期 | 8192 | 8192 | - | 8192 | 8192 | 8192 | - | 8192 | - |
座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | - | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm | - | 1.2 mm | - |
自我刷新 | YES | YES | - | YES | YES | YES | - | YES | - |
连续突发长度 | 4,8 | 4,8 | - | 4,8 | 4,8 | 4,8 | - | 4,8 | - |
最大压摆率 | 0.275 mA | 0.35 mA | - | 0.275 mA | 0.29 mA | 0.26 mA | - | 0.29 mA | - |
最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V | 1.9 V | - | 1.9 V | 1.9 V | 1.9 V | - | 1.9 V | - |
最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | - | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V | - | 1.7 V | - |
标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | - | 1.8 V | - |
表面贴装 | YES | YES | - | YES | YES | YES | - | YES | - |
技术 | CMOS | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS | - | CMOS | - |
温度等级 | OTHER | OTHER | - | OTHER | OTHER | OTHER | - | OTHER | - |
端子形式 | BALL | BALL | - | BALL | BALL | BALL | - | BALL | - |
端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | - | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm | - | 0.8 mm | - |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | - | BOTTOM | - |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | - |
宽度 | 11 mm | 11 mm | - | 11 mm | 11 mm | 11 mm | - | 11 mm | - |
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