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BZX55B33-TAP

产品描述Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.5W,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共6页
制造商Vishay Telefunken (Vishay)
官网地址http://www.vishay.com
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BZX55B33-TAP概述

Zener Diode, 33V V(Z), 2%, 0.5W,

BZX55B33-TAP规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay Telefunken (Vishay)
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗80 Ω
JESD-609代码e0
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压33 V
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
最大电压容差2%
工作测试电流5 mA
Base Number Matches1

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BZX55B...
Vishay Telefunken
Silicon Epitaxial Planar Z–Diodes
Features
D
D
D
D
D
D
Very sharp reverse characteristic
Low reverse current level
Low noise
Very high stability
Available with tighter tolerances
V
Z
–tolerance
±
2%
Applications
Voltage stabilization
94 9367
Order Instruction
Type
BZX55B2V4
Ordering Code
BZX55B2V4–TAP
Remarks
Ammopack
Absolute Maximum Ratings
T
j
= 25
_
C
Parameter
Power dissipation
Z–current
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
l=4 mm, T
L
=25
°
C
Type
Symbol
P
V
I
Z
T
j
T
stg
Value
500
P
V
/V
Z
175
–65...+175
Unit
mW
mA
°
C
°
C
Maximum Thermal Resistance
T
j
= 25
_
C
Parameter
Junction ambient
Test Conditions
l=4 mm, T
L
=constant
Symbol
R
thJA
Value
300
Unit
K/W
Electrical Characteristics
T
j
= 25
_
C
Parameter
Forward voltage
Test Conditions
I
F
=100mA
Type
Symbol
V
F
Min
Typ
Max
1.5
Unit
V
Document Number 85604
Rev. A4, 12-Mar-01
www.vishay.com
1 (6)

 
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