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BSM600GA120DLC

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小284KB,共8页
制造商EUPEC [eupec GmbH]
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BSM600GA120DLC概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 900A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-5

BSM600GA120DLC规格参数

参数名称属性值
厂商名称EUPEC [eupec GmbH]
包装说明MODULE-5
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)900 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X5
元件数量1
端子数量5
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)650 ns
标称接通时间 (ton)190 ns
Base Number Matches1

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