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BPW76A

产品描述Photo Transistor, 800nm, 0.05A I(C),
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小67KB,共6页
制造商Vishay Telefunken (Vishay)
官网地址http://www.vishay.com
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BPW76A概述

Photo Transistor, 800nm, 0.05A I(C),

BPW76A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Vishay Telefunken (Vishay)
Reach Compliance Codeunknown
最大暗电源100 nA
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
最大通态电流0.05 A
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
峰值波长800 nm
最大功率耗散0.25 W
最长响应时间0.0000035 s
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

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BPW76
Vishay Telefunken
Silicon NPN Phototransistor
Description
BPW76 is a high sensitive silicon NPN epitaxial planar
phototransistor in a standard TO–18 hermetically
sealed metal case.
Its flat glass window makes it ideal for applications with
external optics.
A base terminal is available to enable biasing and sen-
sitivity control.
Features
D
D
D
D
D
D
D
D
D
Hermetically sealed case
Flat window
Very wide viewing angle
ϕ
=
±
40
°
Exact central chip alignment
Long range light barrier with an additional optics
Base terminal available
High photo sensitivity
Suitable for visible and near infrared radiation
Selected into sensitivity groups
94 8401
Applications
Detector in electronic control and drive circuits
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25
_
C
Parameter
Collector Base Voltage
Collector Emitter Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current
Peak Collector Current
Total Power Dissipation
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Soldering Temperature
Thermal Resistance Junction/Ambient
Thermal Resistance Junction/Case
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
j
T
stg
T
sd
R
thJA
R
thJC
Value
80
70
5
50
100
250
125
–55...+125
260
400
150
Unit
V
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
K/W
K/W
t
p
/T = 0.5, t
p
10 ms
T
amb
25
°
C
x
x
t
x
5s
Document Number 81526
Rev. 2, 20-May-99
www.vishay.com
1 (6)

BPW76A相似产品对比

BPW76A BPW76B
描述 Photo Transistor, 800nm, 0.05A I(C), Photo Transistor, 800nm, 0.05A I(C),
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Vishay Telefunken (Vishay) Vishay Telefunken (Vishay)
Reach Compliance Code unknown unknown
最大暗电源 100 nA 100 nA
JESD-609代码 e0 e0
安装特点 THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
最大通态电流 0.05 A 0.05 A
最高工作温度 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
峰值波长 800 nm 800 nm
最大功率耗散 0.25 W 0.25 W
最长响应时间 0.0000035 s 0.0000035 s
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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