Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Unitrode Corporation |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A |
| 基于收集器的最大容量 | 120 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 200 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 5 |
| JEDEC-95代码 | TO-5 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN |
| 功耗环境最大值 | 15 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 15 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 参考标准 | MIL |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 20 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 1500 ns |
| 最大开启时间（吨） | 250 ns |
| VCEsat-Max | 1 V |
| Base Number Matches | 1 |
| JANTX2N5666 | 2N5666 | JANTXV2N5666 | JAN2N5666 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 Pin, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
| 最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A | 5 A | 5 A |
| 基于收集器的最大容量 | 120 pF | 120 pF | 120 pF | 120 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 200 V | 200 V | 200 V | 200 V |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 5 | 5 | 5 | 5 |
| JEDEC-95代码 | TO-5 | TO-5 | TO-5 | TO-5 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C | 200 °C | 200 °C | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | NPN | NPN | NPN | NPN |
| 功耗环境最大值 | 15 W | 15 W | 15 W | 15 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 15 W | 15 W | 15 W | 15 W |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 20 MHz | 20 MHz | 20 MHz | 20 MHz |
| 最大关闭时间（toff） | 1500 ns | 1500 ns | 1500 ns | 1500 ns |
| 最大开启时间（吨） | 250 ns | 250 ns | 250 ns | 250 ns |
| VCEsat-Max | 1 V | 1 V | 1 V | 1 V |
| 厂商名称 | Unitrode Corporation | - | Unitrode Corporation | Unitrode Corporation |
| 参考标准 | MIL | - | MIL | MIL |
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