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IS61LV6464-7PQ: 产品描述Standard SRAM, 64KX64, 7ns, CMOS, PQFP128,; 产品类别存储存储; 文件大小483KB，共18页; 制造商Integrated Circuit Solution Inc

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IS61LV6464-7PQ概述

Standard SRAM, 64KX64, 7ns, CMOS, PQFP128,

IS61LV6464-7PQ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
包装说明	QFP, QFP128,.67X.93,20
Reach Compliance Code	unknown
最长访问时间	7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	75 MHz
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e0
内存密度	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	64
端子数量	128
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	64KX64
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP
封装等效代码	QFP128,.67X.93,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.005 A
最小待机电流	3.14 V
最大压摆率	0.17 mA
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
Base Number Matches	1

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IS61LV6464

64K x 64 SYNCHRONOUS

PIPELINE STATIC RAM

FEATURES

• Fast access time:

– 5 ns-100 MHz; 6 ns-83 MHz;

7 ns-75 MHz; 8 ns-66 MHz

• Internal self-timed write cycle

• Individual Byte Write Control and Global Write

• Clock controlled, registered address, data and

control

• Pentium™ or linear burst sequence control

using MODE input

• Five chip enables for simple depth expansion

and address pipelining

• Common data inputs and data outputs

• Power-down control by ZZ input

• JEDEC 128-Pin LQFP and PQFP 14mm x

20mm package

• Single +3.3V power supply

• 2.5V V

CCQ

(I/O supply)

• Control pins mode upon power-up:

– MODE in interleave burst mode

– ZZ in normal operation mode

These control pins can be connected to GND

or V

CCQ

to alter their power-up state

DESCRIPTION

The

ICSI

IS61LV6464 is a high-speed, low-power synchro-

nous static RAM designed to provide a burstable, high-perfor-

mance, secondary cache for the Pentium™, 680X0™, and

PowerPC™ microprocessors. It is organized as 65,536 words

by 64 bits, fabricated with

ICSI

's advanced CMOS technology.

The device integrates a 2-bit burst counter, high-speed SRAM

core, and high-drive capability outputs into a single monolithic

circuit. All synchronous inputs pass through registers con-

trolled by a positive-edge-triggered single clock input.

Write cycles are internally self-timed and are initiated by the

rising edge of the clock input. Write cycles can be from one to

eight bytes wide as controlled by the write control inputs.

Separate byte enables allow individual bytes to be written.

BW1

controls I/O1-I/O8,

BW2

controls I/O9-I/O16,

BW3

con-

trols I/O17-I/O24,

BW4

controls I/O25-I/O32,

BW5

controls

I/O33-I/O40,

BW6

controls I/O41-I/O48,

BW7

controls I/O49-

I/O56,

BW8

controls I/O57-I/O64, conditioned by

BWE

being

LOW. A LOW on

input would cause all bytes to be written.

Bursts can be initiated with either

ADSP

(Address Status

Processor) or

ADSC

(Address Status Cache Controller) input

pins. Subsequent burst addresses can be generated internally

by the IS61LV6464 and controlled by the

ADV

(burst address

advance) input pin.

Asynchronous signals include output enable (OE), sleep mode

input (ZZ), and burst mode input (MODE). A HIGH input on the

ZZ pin puts the SRAM in the power-down state. When ZZ is

pulled LOW (or no connect), the SRAM normally operates after

the wake-up period. A LOW input, i.e., GND

, on MODE pin

selects LINEAR Burst. A V

CCQ

(or no connect) on MODE pin

selects INTERLEAVED Burst.

ICSI reserves the right to make changes to its products at any time without notice in order to improve design and supply the best possible product. We assume no responsibility for any errors

Integrated Circuit Solution Inc.

SSR010-0B

IS61LV6464-7PQ相似产品对比

	IS61LV6464-7PQ	IS61LV6464-8TQ	IS61LV6464-8PQ	IS61LV6464-7TQ
描述	Standard SRAM, 64KX64, 7ns, CMOS, PQFP128,	Standard SRAM, 64KX64, 8ns, CMOS, PQFP128,	Standard SRAM, 64KX64, 8ns, CMOS, PQFP128,	Standard SRAM, 64KX64, 7ns, CMOS, PQFP128,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
包装说明	QFP, QFP128,.67X.93,20	QFP, QFP128,.63X.87,20	QFP, QFP128,.67X.93,20	QFP, QFP128,.63X.87,20
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown
最长访问时间	7 ns	8 ns	8 ns	7 ns
最大时钟频率 (fCLK)	75 MHz	66 MHz	66 MHz	75 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128	R-PQFP-G128
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
内存密度	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit	4194304 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	64	64	64	64
端子数量	128	128	128	128
字数	65536 words	65536 words	65536 words	65536 words
字数代码	64000	64000	64000	64000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	64KX64	64KX64	64KX64	64KX64
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QFP	QFP	QFP	QFP
封装等效代码	QFP128,.67X.93,20	QFP128,.63X.87,20	QFP128,.67X.93,20	QFP128,.63X.87,20
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK	FLATPACK
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V	2.5/3.3,3.3 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.005 A	0.005 A	0.005 A	0.005 A
最小待机电流	3.14 V	3.14 V	3.14 V	3.14 V
最大压摆率	0.17 mA	0.15 mA	0.15 mA	0.17 mA
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
Base Number Matches	1	1	1	1

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