Standard SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119,
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | BGA, BGA119,7X17,50 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| 最长访问时间 | 3.5 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 166 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 端子数量 | 119 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 128KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA |
| 封装等效代码 | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 电源 | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.005 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.23 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| Base Number Matches | 1 |
| IS61SP12832-166TQ | IS61SP12832-5TQ | IS61SP12832-5B | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 128KX32, 3.5ns, CMOS, PBGA119, | Standard SRAM, 128KX32, 5ns, CMOS, PBGA119, | Standard SRAM, 128KX32, 5ns, CMOS, PQFP100, |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 包装说明 | BGA, BGA119,7X17,50 | BGA, BGA119,7X17,50 | QFP, QFP100,.63X.87 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 3.5 ns | 5 ns | 5 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 166 MHz | 100 MHz | 100 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B119 | R-PBGA-B119 | R-PQFP-G100 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 32 | 32 | 32 |
| 端子数量 | 119 | 119 | 100 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 128KX32 | 128KX32 | 128KX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA | BGA | QFP |
| 封装等效代码 | BGA119,7X17,50 | BGA119,7X17,50 | QFP100,.63X.87 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY | FLATPACK |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.005 A | 0.005 A | 0.005 A |
| 最小待机电流 | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V |
| 最大压摆率 | 0.23 mA | 0.2 mA | 0.2 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | BALL | BALL | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 0.635 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | QUAD |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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